[發(fā)明專利]一種閃爍陶瓷陣列及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711314397.1 | 申請(qǐng)日： | 2017-12-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108107463A | 公開（公告）日： | 2018-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 江亞林;秦海明;王新佳 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 寧波虔東科浩光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01T1/00 | 分類號(hào)： | G01T1/00 |
| 代理公司： | 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214 | 代理人： | 吳偉文 |
| 地址： | 315000 浙江省寧*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶粒 陶瓷陣列 反射層 閃爍 制備 環(huán)氧樹脂 閃爍體陣列 機(jī)械加工 陶瓷晶粒 陣列結(jié)構(gòu) 耦合模具 光輸出 金屬類 粘結(jié)劑 粘合 頂面 灌入 排布 切割 側(cè)面 | ||
1.一種閃爍陶瓷陣列，其特征在于，所述閃爍陶瓷陣列中單個(gè)晶粒的側(cè)面鍍有金屬類反射層，頂面鍍有環(huán)氧樹脂反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃爍陶瓷陣列，其特征在于，所述陶瓷材料為石榴石結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)式可表述為：(AB)
A為發(fā)光稀土元素，可以為Ce、Pr、Nd、Eu、Tb、Er、Dy、Tm、Ho或其組合；
B可以為Sc、Y、Gd、Yb、Lu或其組合；
C可以為Al、Ga或Al和Ga的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃爍陶瓷陣列，其特征在于，所述單個(gè)晶粒頂面的環(huán)氧樹脂反射層的厚度為0.1～2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃爍陶瓷陣列，其特征在于，所述單個(gè)晶粒側(cè)面的金屬類反射層，其金屬可以為以下材料的一種：Ag、Al、Mo、Pt、Pd、Os、Ir、Ru、Rh。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種閃爍陶瓷陣列，其特征在于，所述金屬類反射層的噴鍍方法可以為化學(xué)沉積法、化學(xué)鍍、磁控濺射法或噴射電鍍法。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種閃爍陶瓷陣列，其特征在于，所述金屬類反射層的表面添加防氧化劑。
7.一種閃爍陶瓷陣列的制備方法，其特征在于如下步驟：
(1)通過(guò)機(jī)械加工方法將陶瓷材料切割成單個(gè)長(zhǎng)方體的晶粒；
(2)在切割好的單個(gè)晶粒的四個(gè)側(cè)面鍍上金屬類反射層；
(3)在切割好的單個(gè)晶粒的頂面鍍上環(huán)氧樹脂反射層；
(4)將噴鍍好反射層的晶粒分別利用組合篩選版排布為陣列結(jié)構(gòu)；
(5)在每個(gè)晶粒之間灌入粘結(jié)劑，將晶粒粘合固化成所需的閃爍陶瓷陣列。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種閃爍陶瓷陣列的制備方法，其特征在于，所述晶粒通過(guò)定位耦合模具排布為陣列結(jié)構(gòu)。
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