[發(fā)明專利]一種雙穩(wěn)態(tài)電流體顯示下基板及包括其的顯示器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711313104.8
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN108196361B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 白鵬飛;胡晶晶;唐彪;周國富
• 申請（專利權(quán)）人: 華南師范大學(xué);深圳市國華光電科技有限公司;深圳市國華光電研究院
• 主分類號: G02B26/00
• 分類號: G02B26/00
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 唐致明

1.一種雙穩(wěn)態(tài)電流體顯示下基板，其特征在于，包括下支撐板和依次設(shè)置于所述下支撐板上的導(dǎo)電層、疏水絕緣層和像素墻，所述像素墻圍成像素格陣列，所述各個像素格內(nèi)的導(dǎo)電層包括第一電極區(qū)、第二電極區(qū)和設(shè)于兩者之間的無電極區(qū)，所述疏水絕緣層上對應(yīng)各個所述無電極區(qū)的位置設(shè)有親水圍堰，所述親水圍堰將每個像素格分成對應(yīng)所述第一電極區(qū)的第一區(qū)域、對應(yīng)所述第二電極區(qū)的第二區(qū)域，所述親水圍堰包括至少兩個不相連的圍堰體，所述圍堰體之間形成一個間隙，至少一個所述間隙對應(yīng)的無電極區(qū)呈弧形帶狀，所述弧形帶狀的無電極區(qū)向所述第一電極區(qū)拱起。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙穩(wěn)態(tài)電流體顯示下基板，其特征在于，所述第一電極區(qū)的面積不大于所述像素格面積的三分之一。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙穩(wěn)態(tài)電流體顯示下基板，其特征在于，所述弧形帶狀的無電極區(qū)的長度≤30μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的雙穩(wěn)態(tài)電流體顯示下基板，其特征在于，所述弧形帶狀的無電極區(qū)的寬度為5-20μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的雙穩(wěn)態(tài)電流體顯示下基板，其特征在于，所述親水圍堰包括不相連的圍堰體一和圍堰體二，所述圍堰體一和所述圍堰體二之間形成一個間隙。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的雙穩(wěn)態(tài)電流體顯示下基板，其特征在于，所述親水圍堰的材料與像素墻的材料相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的雙穩(wěn)態(tài)電流體顯示下基板，其特征在于，所述圍堰體的寬度為1-50μm，所述圍堰體的高度為200nm-50μm。

8.一種雙穩(wěn)態(tài)電流體顯示器件，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項所述的雙穩(wěn)態(tài)電流體顯示下基板。