[發(fā)明專利]一種防擊穿的半導體器件

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711309721.0
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN107845671A
• 公開（公告）日: 2018-03-27
• 發(fā)明（設計）人: 羅艷
• 申請（專利權）人: 四川九鼎智遠知識產(chǎn)權運營有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產(chǎn)權代理有限公司51214
• 代理人: 詹永斌

1.一種防擊穿的半導體器件，其特征在于，包括：

P型襯底；

隔離層，所述隔離層位于所述P型襯底上；

N型硅層，所述N型硅層位于所述隔離層上；

P型阱，所述P型阱位于所述N型硅層一側的所述隔離層上；

N型阱，所述N型阱位于所述N型硅層另一側的所述隔離層上；

源極，所述源極位于所述P型阱上；

漏極，所述漏極位于所述N型阱上；

絕緣層，所述絕緣層位于所述N型硅層上，所述絕緣層內具有多晶硅場板和位于多晶硅場板兩側的柵極，所述柵極通過跨設在多晶硅場板上方的多晶硅橋連接；

第一介質層，所述第一介質層覆蓋所述源極和漏極之間的所述絕緣層、P型阱和N型阱；

金屬場板，所述金屬場板跨設在所述柵極上，所述金屬場板的截面形狀為中間高兩邊低的階梯形；

第二介質層，所述第二介質層位于所述第一介質層和金屬場板之間；

其中，所述金屬拱形場板的一端與源極連接，另一端搭接在所述柵極與所述漏極之間的第二介質層上；所述第二介質層的介電常數(shù)大于4。

2.根據(jù)權利要求1所述的防擊穿的半導體器件，其特征在于，所述柵極和多晶硅場板設于所述氧化層上表面。

3.根據(jù)權利要求2所述的防擊穿的半導體器件，其特征在于，所述柵極與多晶硅場板的間距為2微米。

4.根據(jù)權利要求1所述的防擊穿的半導體器件，其特征在于，所述柵極的截面形狀為T形。