[發(fā)明專利]一種濕法黑硅擴散后返工片返工的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711308059.7 | 申請日: | 2017-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN108091725A | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 何長春;仇杰;葛豎堅;何梅 | 申請(專利權(quán))人: | 東方日升新能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州橙知果專利代理事務所(特殊普通合伙) 33261 | 代理人: | 駱文軍 |
| 地址: | 315600 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 返工 擴散 黑硅 濕法 混合液 氫氟酸 硝酸 刻蝕 產(chǎn)線 刻蝕工序 擴散處理 工藝流程 擴散面 體積比 氧化層 發(fā)藍 黑點 減重 去除 臟污 返回 | ||
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是,提供一種返工工藝流程簡單、易操作、經(jīng)過的工序較少、損耗低及返工后成品不良較少的濕法黑硅擴散后返工片返工的方法;1)返工刻蝕:將濕法黑硅擴散后返工片采用刻蝕法去除原擴散面的臟污、發(fā)藍、黑點等外觀不良及擴散面氧化層和P?N結(jié);所述刻蝕用的混合液為氫氟酸、硝酸和水組成的混合液,且混合液中的體積比為氫氟酸:硝酸:水=3~5:16~20:3,所述氫氟酸的濃度為45%~50%,所述硝酸的濃度為50%~55%,并將濕法黑硅擴散后返工片減重控制在0.1~0.15g;2)擴散:返回到原先的擴散工序進行擴散處理;3)從正常產(chǎn)線流程的刻蝕工序開始進入到正常產(chǎn)線流程中處理即可。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶硅電池太陽能電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,更確切地說涉及一種濕法黑硅擴散后返工片返工的方法。
背景技術(shù)
隨著光伏行業(yè)的發(fā)展和技術(shù)的不斷創(chuàng)新,濕法黑硅技術(shù)已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)化,但在濕法黑硅技術(shù)日益成熟和量產(chǎn)化過程中,如圖1所示,濕法黑硅擴散后返工流程主要是:如公告號為CN106057967A,名稱為一種RIE黑硅電池返工方法公開的先通過先利用氫氟酸浸泡清洗返工片表面的氧化層后,再利用HNO3、HF和去離子水的混合溶液去除表面硅后,隨后返回到濕法制絨工序進行再次制絨,再返回擴散、刻蝕、鍍膜、絲網(wǎng)的返工方法進行返工的,但是該返工工藝方法流程繁瑣且所經(jīng)過的工序也比較多導致返工損耗很高,且此類返工濕法制絨藥液需要從新按返工配比工藝從新配液,較大程度上影響了濕法制絨工序的產(chǎn)能,在濕法制絨返工片清洗是在原有絨面的基礎(chǔ)上再次進行濕法制絨,這樣在絨面反射率的控制上和絨面外觀上很難控制導致返工片返工處理后不良比例較高,同時在擴散后的刻蝕也需特定的刻蝕工藝“對所述RIE黑硅片的表面進行反應離子刻蝕的反應條件為:利用氯氣、氧氣和六氟化硫混合氣體在高頻電源的激發(fā)下生成的等離子體氣體對所述N型硅片襯底的上下表面進行反應離子刻蝕;所述氯氣的流量范圍為200-1000sccm,氧氣的流量為500-2000sccm,六氟化硫的流量范圍為200-1000sccm,壓力范圍為10-15pa,高頻電源的功率范圍為15-30kw,刻蝕時間范圍為10-500s。”,否則不良比例將更高,但這個刻蝕工藝操作較繁瑣、能耗較高。故現(xiàn)有技術(shù)整個返工工藝存在工藝較復雜,工序較多,操作較繁瑣及損耗較高的問題。
本發(fā)明有效地解決了以上技術(shù)難題,返工工藝流程簡單、易操作,經(jīng)過的工序較少,損耗低,返工后成品不良較少,且可當班處理。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是,提供一種返工工藝流程簡單、易操作、經(jīng)過的工序較少、損耗低及返工后成品不良較少的濕法黑硅擴散后返工片返工的方法。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案是,提供一種具有以下結(jié)構(gòu)的濕法黑硅擴散后返工片返工的方法,它包括以下步驟:
1)返工刻蝕:將濕法黑硅擴散后返工片采用刻蝕法去除原擴散面的臟污、發(fā)藍、黑點等外觀不良及擴散面氧化層和P-N結(jié);所述刻蝕用的混合液為氫氟酸、硝酸和水組成的混合液,且混合液中的體積比為氫氟酸:硝酸:水=3~5:16~20:3,所述氫氟酸的濃度為45%~50%,所述硝酸的濃度為50%~55%,并將濕法黑硅擴散后返工片減重控制在0.1~0.15g;
2)擴散:返回到原先的擴散工序進行擴散處理;
3)從正常產(chǎn)線流程的刻蝕工序開始進入到正常產(chǎn)線流程中處理即可。
作為優(yōu)選,所述混合液中的體積比為氫氟酸:硝酸:水=3~4:18~20:3。
作為更優(yōu)選,所述混合液中的體積比為氫氟酸:硝酸:水=3.5:19:3。
作為優(yōu)選,所述氫氟酸的濃度為48%。
作為優(yōu)選,所述硝酸的濃度為52%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





