[發(fā)明專利]一種鎂改性SiO2 有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711307699.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108031432B | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡衛(wèi)權(quán);涂文駿 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B01J20/10 | 分類號(hào): | B01J20/10;B01J20/28;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/22 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 王守仁 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改性 sio base sub | ||
本發(fā)明涉及一種用于毒性Cr(VI)吸附的鎂改性SiO2薄膜的制備方法。該方法是:首先,在水和乙醇的混合溶液中溶解一定質(zhì)量的CTAB和六水合硝酸鎂;然后,滴加一定質(zhì)量的正硅酸乙酯和鹽酸,繼續(xù)攪拌得到溶膠;最后,在膠溶上述溶膠的同時(shí)加入成膜劑聚乙烯醇,混合攪拌后制得澄清透明的混合溶膠,隨后經(jīng)流延成型、干燥制得SiO2薄膜。該薄膜對(duì)Cr(VI)、Cd(II)、Cu(II)、Zn(II)和Ni(II)等混合溶液中的Cr(VI)表現(xiàn)出優(yōu)異的選擇性吸附性能。本方法具有制備工藝簡(jiǎn)單、條件溫和且對(duì)重金屬離子Cr(VI)吸附性能優(yōu)異等優(yōu)點(diǎn),而且吸附后的薄膜極易從水體中直接分離。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及六水合硝酸鎂為鎂源,一步改性的SiO2基復(fù)合材料的制備和應(yīng)用的技術(shù)領(lǐng)域,確切地說(shuō),是一種用于劇毒污染物Cr(VI)吸附的鎂改性SiO2薄膜的制備方法。
背景技術(shù)
隨著工業(yè)的發(fā)展,各種重金屬離子如砷、鉻、鎘、鉛的污染日益嚴(yán)重,對(duì)人類健康和生活環(huán)境造成了越來(lái)越嚴(yán)重的危害,而其中的鉻污染治理是一大難點(diǎn)。如今涂料、顏料、冶金等工業(yè)都會(huì)應(yīng)用到鉻,使得大量的工業(yè)廢水排放到自然環(huán)境中,Cr(VI)流失擴(kuò)散進(jìn)入水體后主要以高毒性和高致癌性的六價(jià)CrO42-、Cr2O72-和HCrO4-等陰離子形式存在,難以處理回收。因此,研究如何降低廢水中Cr(VI)的濃度具有重要的科學(xué)價(jià)值和現(xiàn)實(shí)意義。
目前處理鉻廢水的大致方法有化學(xué)沉淀法、離子交換法、膜分離法、電解法以及吸附法。其中,吸附法具有效率高、應(yīng)用范圍廣、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)。鎂改性不僅能增大材料的正電性,水解產(chǎn)生的氫氧化鎂活性大、吸附能力強(qiáng),還可以在處理酸性廢水的同時(shí)沉淀和吸附廢水中的重金屬離子;SiO2基材料具有比表面積大、表面活性高、表面富含羥基官能團(tuán)、耐酸堿性好等特點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于吸附領(lǐng)域。
中國(guó)專利CN105107480A公開了一種用于吸附劇毒污染物Cr(VI)的介孔羥基氧化鐵吸附劑的制備方法,即將無(wú)機(jī)鐵鹽溶液、尿素溶液和Pluronic三嵌段共聚物P123或F127的乙醇溶液三者混合,經(jīng)加熱、離心分離、洗滌和真空干燥,制得所述吸附劑,該吸附劑具有較快的吸附動(dòng)力學(xué)并能循環(huán)使用。中國(guó)專利CN106145240A公布了一種用磷酸改性花生殼和木屑,并按一定比例混合來(lái)制備Cr(VI)吸附劑的方法,其操作工程簡(jiǎn)單,成本低廉。相鑫鑫[相鑫鑫. 硅基介孔材料氨基酸改性及其對(duì)重金屬離子的吸附性能研究[D].東北師范大學(xué),2007.]用半胱氨酸改性硅基介孔材料SBA-15吸附Hg(II),但是其離子去除率和選擇性吸附能力均較低。
上述吸附劑均為粉體,實(shí)際操作中會(huì)產(chǎn)生團(tuán)聚現(xiàn)象,影響了吸附效率;吸附完污染物的粉體也不易從水體中完全分離,使分離成本大大增加,這些缺陷使得粉體吸附劑在實(shí)際中的應(yīng)用受到了限制。
與粉體吸附劑相比,薄膜吸附劑具有吸附后易于從吸附后的水體中分離等特點(diǎn),近年來(lái)收到廣泛關(guān)注。例如,谷禹南等人[谷禹南,王璐,封瑞江,王吉林.QCS-TBT有機(jī)無(wú)機(jī)雜化膜對(duì)重金屬Cr(VI)吸附性能研究[J].化學(xué)與粘合,2013,35(6),32-35.]利用溶膠凝膠法,制備出一系列能對(duì)Cr(VI)進(jìn)行吸附的季銨化殼聚糖-鈦酸正丁酯有機(jī)無(wú)機(jī)雜化膜,但制備過(guò)程較復(fù)雜,吸附量也不高。中國(guó)專利CN105107486A公開了一種用于毒性Cr(VI)吸附的擬薄水鋁石復(fù)合薄膜的制備方法,對(duì)于低濃度的Cr(VI)有較高的去除率,但其吸附量較低。中國(guó)專利CN105498699A公開了一種氨基硅烷改性γ-Al2O3薄膜的制備方法,但制備過(guò)程較復(fù)雜、條件苛刻難控制。迄今為止,堿土金屬改性SiO2基材料應(yīng)用于吸附Cr(VI)的研究還鮮有報(bào)道。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢理工大學(xué),未經(jīng)武漢理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711307699.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- SiO蒸鍍材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法
- 含銀核殼結(jié)構(gòu)智能殺菌劑
- 一種用于SiO<sub>2r</sub>/SiO<sub>2</sub>復(fù)合陶瓷與金屬材料釬焊的工藝方法
- 一種SiO<sub>2</sub>減反射薄膜及其制備方法
- CVD SiC/SiO<sub>2</sub>梯度抗氧化復(fù)合涂層及其制備方法
- 一種用于SiO<sub>2</sub>陶瓷及SiO<sub>2</sub>陶瓷基復(fù)合材料連接的釬料及其制備方法
- 可固化組合物及其制法
- Ag/SiO
- 一種富硅SiOx-C材料及其制備方法和應(yīng)用
- 疏水型SiO<base:Sub>2f
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無(wú)鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法





