[發明專利]半導體存儲器件有效
| 申請號: | 201711307538.7 | 申請日: | 2013-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN107993684B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 孫教民 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C7/10 | 分類號: | G11C7/10;G11C7/12;G11C7/22;G11C5/02;G11C5/06 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 朱志玲;李燕華 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 存儲 器件 | ||
公開了一種半導體存儲器件。一種半導體存儲器件包括:在第一區域中的多個存儲體;將輸入數據信號向其輸入的數據端子,所述數據端子在第二區域中;以及反轉電路,其響應于指示所述輸入數據信號是否已經反轉的反轉控制信號來反轉或不反轉輸入數據信號,其中,對所述多個存儲體的每一個布置至少一個反轉電路。
本申請是申請日為2013年2月28日,申請號為“201310063157.4”,標題為“半導體存儲器件”的發明專利申請的分案申請。
技術領域
此發明概念涉及半導體存儲器件,并且更具體地,涉及具有寫數據總線反轉的半導體存儲器件。
背景技術
已經廣泛地使用數據總線反轉(data bus inversion,DBI)以便于減少使用傳輸線的電力消耗。例如,如果存儲器件和控制器之間的傳輸線終結于(terminated to)電源電壓Vdd,則傳輸具有低電平的信號比具有高電平的信號消耗更多的電力。因此,在將要傳輸的數據片段(apiece of data)中,如果具有低電平的數據片段的數量大于具有高電平的數據片段的數量,則可以反轉數據并且可以額外傳輸指示數據是否已經反轉的反轉信號。接收數據的接收器可以接收反轉信號,通過使用反轉信號確定數據是否已經反轉,以及在確定數據已經反轉時,將數據再次反轉為原始數據。
發明內容
一個或多個實施例的目的在于提供半導體存儲器件,其可以迅速地進行寫數據總線反轉并且簡化電路設計。
一個或多個實施例的目的在于提供包括半導體存儲器件的半導體封裝,該半導體存儲器件可以迅速地進行寫數據總線反轉并且簡化電路設計。
根據一個或多個實施例,半導體存儲器件包括多個存儲體所在的第一區域;將輸入數據信號向其輸入的數據端子所在的第二區域;以及反轉電路,其響應于指示輸入數據信號是否已經反轉的反轉控制信號來反轉或不反轉輸入數據信號,其中,對多個存儲體的每一個布置至少一個反轉電路。
反轉電路可以在第一區域中并且可以與第二區域相鄰。
半導體存儲器件可以進一步包括:控制端子,其位于第二區域且輸入控制信號向其輸入;以及控制信號生成電路,其根據模式寄存器設置信號基于輸入控制信號生成反轉控制信號。根據模式寄存器設置信號,控制信號生成電路可以基于輸入控制信號向反轉電路提供反轉控制信號或者向反轉電路提供禁用信號作為反轉控制信號,以便反轉電路不反轉輸入數據信號。對多個存儲體的每一個可以布置至少一個控制信號生成電路。
控制信號生成電路可以進一步根據模式寄存器設置信號基于輸入控制信號,生成屏蔽控制信號,其中,半導體存儲器件進一步包括數據屏蔽電路,其響應于屏蔽控制信號使得與輸入數據信號對應的數據不被寫入多個存儲體。根據模式寄存器設置信號,控制信號生成電路可以基于輸入控制信號向數據屏蔽電路提供屏蔽控制信號或者向數據屏蔽電路提供禁用信號作為屏蔽控制信號,以便不屏蔽輸入數據信號。根據模式寄存器設置信號,控制信號生成電路可以基于輸入控制信號向反轉電路提供反轉控制信號并且向數據屏蔽電路提供禁用信號作為屏蔽控制信號,以便不屏蔽輸入數據信號,或者向反轉電路提供禁用信號作為反轉控制信號,以便不反轉輸入數據信號并且基于輸入控制信號向數據屏蔽電路提供屏蔽控制信號。對多個存儲體的每一個可以布置至少一個數據屏蔽電路。
多個存儲體的每一個可以包括以行方向和列方向排列的存儲子塊,并且對一行的存儲子塊可以布置一個反轉電路。多個存儲體的每一個可以包括多個存儲單元,并且多個存儲單元的每一個可以包括開關元件和電容器。多個存儲體的每一個可以包括多個存儲單元,并且多個存儲單元的每一個可以包括開關元件和磁性隧道結結構。
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