[發(fā)明專利]一種高精度的高階曲率補(bǔ)償?shù)碾娏髂；鶞?zhǔn)的帶隙電路結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711307026.0
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN107943191A
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任明遠(yuǎn);宋博尊;秦夢瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱理工大學(xué)
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高精度的高階曲率補(bǔ)償?shù)碾娏髂；鶞?zhǔn)的帶隙電路結(jié)構(gòu)，其主要結(jié)構(gòu)包括基本的帶隙電路結(jié)構(gòu)(104)，一階補(bǔ)償帶隙電路(100)，高階補(bǔ)償帶隙電路(102)，改進(jìn)電路精度大小的電路(101)，運(yùn)算放大器電路(103)，其中：

基本的帶隙電路結(jié)構(gòu)(104)：產(chǎn)生一個正常工作的基準(zhǔn)電壓；此條件用于接收一階補(bǔ)償電路，傳輸利用改變的電壓值所產(chǎn)生的正溫度系數(shù)電壓，得到具有正溫度系數(shù)的補(bǔ)償電流；利用器件本身所具有負(fù)溫度系數(shù)的補(bǔ)償電流，輸出兩個相加的值對產(chǎn)生的帶隙電流進(jìn)行溫度補(bǔ)償，利用精度改進(jìn)電路，得到一個一階溫度補(bǔ)償?shù)母呔鹊膸峨娏鳎l(fā)送給高階補(bǔ)償帶隙電路模塊，之后得到一個高精度的高階曲率補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)電流；

運(yùn)算放大器電路(103)：使得電路的輸入兩端獲得近似相等的電壓；

一階補(bǔ)償帶隙電路(100)：產(chǎn)生一個具有溫度補(bǔ)償?shù)牡途鹊膸痘鶞?zhǔn)電流源，傳輸給改進(jìn)電路精度大小的電路；

高精度一階補(bǔ)償帶隙電路：產(chǎn)生一個具有溫度補(bǔ)償?shù)母呔鹊膸痘鶞?zhǔn)電流源，傳輸給改進(jìn)高階補(bǔ)償帶隙電路；

高精度高階補(bǔ)償帶隙電路：產(chǎn)生一個具有高階溫度補(bǔ)償?shù)母呔鹊膸痘鶞?zhǔn)電流源。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度的高階曲率補(bǔ)償?shù)碾娏髂；鶞?zhǔn)的帶隙電路結(jié)構(gòu)，其特征在于改進(jìn)了運(yùn)算放大器所產(chǎn)生的失調(diào)電壓對電路的影響。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度的高階曲率補(bǔ)償?shù)碾娏髂；鶞?zhǔn)的帶隙電路結(jié)構(gòu)，其特征在于使用了電流模基準(zhǔn)，可自由控制輸出大小不需要緩沖器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度的高階曲率補(bǔ)償?shù)碾娏髂；鶞?zhǔn)的帶隙電路結(jié)構(gòu)，其特征在于使用了高階曲率補(bǔ)償，忽略了V_BE的高階項(xiàng)對帶隙電路的影響。

5.根據(jù)權(quán)利要求1~4之一所述的一種高精度的高階曲率補(bǔ)償?shù)碾娏髂；鶞?zhǔn)的帶隙電路結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的一階補(bǔ)償帶隙電路(100)包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5、電阻R1、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R10、BJT管M19、BJT管M20；

PMOS管M1源極接電源，柵極與PMOS管M2、M5柵極相連，漏極與電阻R10一端相連，M2源極與電源相連，漏極與電阻R8一端相連，PMOS管M5源極與電源相連，漏極與電阻R6一端相連，電阻R1一端與R7另一端相連，另一端與地相連，電阻R5一端與R8另一端相連，另一端與地相連，電阻R6另一端與地相連，電阻R10另一端與電阻R7相連，BJT管M19基極與地相連，集電極與地相連，發(fā)射極與R7另一端相連，BJT管M20基極與地相連，集電極與地相連，發(fā)射極與R8另一端相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求1~4之一所述的一種高精度的高階曲率補(bǔ)償?shù)碾娏髂；鶞?zhǔn)的帶隙電路結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的高階補(bǔ)償帶隙電路(102)包括PMOS管M4、BJT管M21、電阻R3、電阻R4；

其中PMOS管M4源極接電源，柵極與PMOS管M1柵極相連，漏極與BJT管M21發(fā)射極相連，BJT管M21基極與地相連，集電極與地相連，電阻R3一端與PMOS管M12柵極相連，電阻R4一端與PMOS管M13柵極相連。

7.根據(jù)權(quán)利要求1~4之一所述的一種高精度的高階曲率補(bǔ)償?shù)碾娏髂；鶞?zhǔn)的帶隙電路結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的改進(jìn)電路精度大小的電路(101)包括PMOS管M3；

其中PMOS管M3源極接電源，柵極與M1柵極相連，漏極與BJT管M20發(fā)射極相連。

8.根據(jù)權(quán)利要求1~4之一所述的一種高精度的高階的曲率補(bǔ)償?shù)碾娏髂；鶞?zhǔn)的帶隙電路結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的運(yùn)算放大器的電路(103)包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M11、PMOS管M16、PMOS管M12、PMOS管M13、NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M14、NMOS管M15、NMOS管M18、PMOS管M22、PMOS管M23、電容C1、電阻R2；

其中PMOS管M5源極與地相連，柵極與PMOS管M6、M11、M16相連，漏極與NMOS管M7漏極相連，PMOS管M6源極與地相連，漏極與NMOS管M8漏極相連，PMOS管M11源極與地相連，漏極與PMOS管M12、M13源極相連，PMOS管M16源極與地相連，漏極與NMOS管M18漏極相連，PMOS管M12柵極與電阻R3一端相連，漏極與NMOS管M22漏極相連，PMOS管M13柵極與電阻R4一端相連，漏極與NMOS管M23漏極相連，NMOS管M7柵極與NMOS管M8柵極相連，源極與NMOS管M9的漏極相連，NMOS管M8，源極與NMOS管M10的漏極相連，NMOS管M9柵極與NMOS管M10的柵極相連，源極與電阻R2的一端相連，NMOS管M10的源極與地相連，NMOS管M14柵極與NMOS管M15的柵極相連，源極與地相連，NMOS管M15的源極與地相連，NMOS管M18的柵極與NMOS管M15的源極相連，源極與地相連，PMOS管M22漏極與NMOS管M14柵極相連，柵極與M9、M23柵極相連，PMOS管M23漏極與NMOS管M15柵極相連，電容C1的另一端與NMOS管M16的漏極相連，電阻R2的另一端與地相連。