[發明專利]一種硒化鎘薄膜氣相外延制備系統

有效

• 申請號: 201711306122.3
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN108203843B
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 劉翔;何利利;楊盛安;張明;吳長樹
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: C30B23/06
• 分類號: C30B23/06;C30B29/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及一種硒化鎘薄膜氣相外延制備系統，屬于半導體制造技術領域。該制備系統包括位移系統、控溫系統、外延系統、操作箱、固定臺、靶材存儲箱，固定臺固定設置在靶材存儲箱頂端，操作箱設置在固定臺上，位移系統設置在支撐架上，控溫系統固定設置在位移系統頂端，外延系統水平設置且一端與操作箱連通，外延系統的另一端向控溫系統延伸且可插入控溫系統內。本發明在外延管中配備了源蒸發后流通的限向聚流罩以及源和生長襯底的支撐裝置，分別利用限向聚流罩和支撐裝置提高源的利用率和薄膜材料的高效率沉積。

技術領域

本發明涉及一種硒化鎘薄膜氣相外延制備系統，屬于半導體制造領域。

背景技術

硒化鎘（CdSe）是一種典型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料，因其具有較好的光電特性而受到廣泛關注。硒化鎘（CdSe）帶隙較寬，并且為直接帶隙，因而在太陽能電池、場致發光器件、微光調節器、y射線探測器等方面取得了巨大的成功。通過不同方法和設備制備的不同CdSe材料具有良好的應用前景。

提高CdSe薄膜的制備質量是制備性能優良的光電子器件的基礎。不同設備和流程制備的CdSe薄膜，其結晶性能不同，薄膜質量存在差異從而影響其光電特性以及相關應用。目前，用于制備CdSe的主要設備有真空蒸發裝置、噴霧熱解裝置、分子束外延（MBE）裝置、化學浴沉積裝置、化學氣相沉積裝置等。但是在現有的制備裝置中存在以下幾個問題：（1）設備價格昂貴，成本太高；（2）程序復雜，操作繁瑣；（3）薄膜沉積的不均勻，結晶質量不好；（4）材料的利用率低。

發明內容

本發明針對現有技術存在的問題，提供一種硒化鎘薄膜氣相外延制備系統，本發明采用加熱爐不同溫區控制，操作簡單，控制精確；在真空腔內設置限向聚流罩，提高源的利用率和薄膜沉積速率。

本發明為解決其技術問題而采用的技術方案是：

一種硒化鎘薄膜氣相外延制備系統，包括位移系統、控溫系統、外延系統、操作箱32、固定臺34、靶材存儲箱35，固定臺34固定設置在靶材存儲箱35頂端，操作箱32設置在固定臺34上，位移系統設置在支撐架19上，控溫系統固定設置在位移系統頂端，外延系統水平設置且一端與操作箱32連通，外延系統的另一端向控溫系統延伸且可插入控溫系統內；

位移系統包括支撐板16、位移車17、控溫滑軌18、電源滑軌20，控溫滑軌18設置在支撐架19頂端，位移車17底端設置有車輪，車輪設置在控溫滑軌18上且與控溫滑軌18配合，支撐板16豎直設置在位移車17頂端的兩側，控溫系統通過支撐板16固定設置在位移車17上方，電源滑軌20設置在地面且位于控溫滑軌18的下方；