[發明專利]陶瓷電子部件及其制造方法有效
| 申請號： | 201711306007.6 | 申請日： | 2017-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN108231377B | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 石田卓也;間木祥文;平井真哉 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01F27/29 | 分類號： | H01F27/29;H01F27/24;H01F41/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷 電子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一種陶瓷電子部件，其特征在于，具備：
含有金屬氧化物的陶瓷坯體，
所述陶瓷坯體為含有Cu的鐵氧體，
形成于所述陶瓷坯體的表層部的一部分的、使所述金屬氧化物熔融、凝固而成的重整層，以及
形成于所述重整層上的由鍍覆金屬構成的電極，
在所述重整層所述Cu偏析成條狀或網狀。
2.一種陶瓷電子部件，其特征在于，具備：
含有金屬氧化物的陶瓷坯體，
所述陶瓷坯體為含有Cu的鐵氧體，
形成于所述陶瓷坯體的表層部的一部分的、使所述金屬氧化物熔融、凝固而成的重整層，以及
形成于所述重整層上的由鍍覆金屬構成的電極，
其中，在所述重整層中Cu偏析在上層部。
3.根據權利要求2所述的陶瓷電子部件，其中，在所述重整層中，上層部具有Cu的偏析層，下層部具有Cu沒有偏析的未偏析層。
4.根據權利要求1或2所述的陶瓷電子部件，其中，所述陶瓷坯體為含有Cu、Zn、Ni的鐵氧體，
在所述重整層中避開所述Cu的偏析地存在Zn、Ni。
5.根據權利要求1或2所述的陶瓷電子部件，其中，所述重整層的厚度為1μm以上。
6.一種陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，具備：
準備含有金屬氧化物的陶瓷坯體的工序，
在所述陶瓷坯體的表層部的一部分使所述金屬氧化物熔融、凝固而形成重整層的工序，所述重整層中偏析有構成所述金屬氧化物的金屬元素的至少一種，以及
通過鍍覆處理在所述重整層上形成電極的工序，
其中，所述陶瓷坯體為含有Cu的鐵氧體，
在所述重整層所述Cu偏析成條狀或網狀。
7.根據權利要求6所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中，形成所述重整層的工序是通過利用激光照射、電子束照射或聚焦爐的局部加熱而進行的。
8.根據權利要求6或7所述的陶瓷電子部件的制造方法，其中，所述鍍覆處理是通過電鍍法而進行的。
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