[發(fā)明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711305827.3
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN108231676B
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設計）人: 田渕智隆;曾硯琳
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/268
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

提供晶片的加工方法，能夠在晶片正面的器件區(qū)域被保護膜覆蓋的狀態(tài)下進行等離子照射，并能夠抑制器件的損傷。一種晶片的加工方法，包含如下的工序：保護膜形成工序，形成將晶片(W)的正面整體包覆的保護膜(70)；激光照射工序，沿著間隔道(ST)照射激光(LB)而將功能層(72)去除，并使基板(71)露出；保護膜檢測工序，對激光照射后的晶片上的多個器件(DV)區(qū)域中的保護膜的包覆狀態(tài)進行檢測；保護膜再形成工序，當在器件區(qū)域中存在未包覆保護膜的部分的情況下，再次形成保護膜以便將各器件區(qū)域覆蓋；等離子照射工序，對晶片進行等離子照射；以及分割工序，通過沿著間隔道的切削對晶片進行分割。

技術領域

本發(fā)明涉及晶片的加工方法，將晶片沿著間隔道分割成芯片，該晶片在層疊于基板的正面上的功能層上在由形成為格子狀的多條間隔道劃分的多個區(qū)域內分別形成有器件。

背景技術

在半導體器件的制造工藝中，在硅等基板的正面上設置由絕緣膜和功能膜層疊而成的功能層來構成晶片，在功能層上形成由格子狀的間隔道劃分的多個器件。然后，沿著間隔道對晶片進行分割而得到多個器件。如果在晶片的分割時進行使用了切削刀具的切削加工，則由于基板與功能層之間的物質特性的差異等原因，可能會在沿著間隔道上的分割線的區(qū)域之外產生功能層的剝離(膜剝離)。例如，由于作為功能層的代表性的Low-K膜(低介電常數(shù)絕緣體包覆膜)比基板脆，所以在進行使用了切削刀具的分割時容易產生膜剝離。

作為其對策，提出了如下技術：在晶片的正面上形成保護膜，沿著間隔道照射激光而進行激光燒蝕，將Low-K膜那樣的功能層和基板的一部分去除(例如，專利文獻1)。通過保護膜來防止因激光燒蝕產生的碎屑附著在器件上。在激光燒蝕之后將保護膜去除而使用切削刀具沿著間隔道將晶片分割成多個器件。

專利文獻1：日本特開2015-79790號公報

當如專利文獻1那樣對晶片進行沿著間隔道的激光燒蝕時，會因來自激光的熱量輸入而對基板造成損傷。于是，當在下一個分割工序中進行切削加工時，可能以損傷為起點在基板上的間隔道的側面產生裂紋(側壁裂紋)。作為該對策，公知有如下技術：在激光照射后對晶片進行等離子處理(照射)，將因激光照射產生的損傷去除。

為了防止因等離子照射而對晶片上的器件造成損傷，優(yōu)選在將保護膜包覆在晶片的除間隔道區(qū)域之外的正面(特別是器件區(qū)域)上的狀態(tài)下進行等離子照射。但是，在進行激光燒蝕時因激光照射而產生等離子，有時保護膜在間隔道區(qū)域以外的部分中會出現(xiàn)局部破損。當在該狀態(tài)下對晶片進行等離子照射時，可能會對器件造成損傷。

發(fā)明內容

本發(fā)明是鑒于這樣的點而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，能夠在晶片正面的器件區(qū)域被保護膜覆蓋的狀態(tài)下進行等離子照射，能夠抑制器件的損傷。

根據本發(fā)明，提供晶片的加工方法，沿著間隔道對晶片進行分割，該晶片在層疊于基板的正面上的功能層上在由形成為格子狀的多條該間隔道劃分的多個區(qū)域中分別形成有器件，該晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：保護膜形成工序，對該晶片正面提供水溶性樹脂而形成將該晶片正面整體包覆的保護膜；激光照射工序，沿著該間隔道經由該保護膜而照射激光從而將該功能層去除，并使該基板露出；保護膜檢測工序，在實施了該激光照射工序之后，對該晶片上的形成有多個器件的區(qū)域是否包覆有該保護膜進行檢測；保護膜再形成工序，當在該保護膜檢測工序中檢測到的結果是在該形成有多個器件的區(qū)域中存在未包覆該保護膜的部分的情況下，再次形成保護膜以便將該形成有多個器件的區(qū)域分別覆蓋；等離子照射工序，在該保護膜再形成工序之后對該晶片進行等離子照射；以及分割工序，在該等離子照射工序之后，沿著該間隔道對晶片進行切削而將該晶片分割成各個芯片。

根據該加工方法，再次形成保護膜以便將多個器件區(qū)域分別覆蓋，之后進行等離子照射，因此，即使在激光照射工序中器件區(qū)域的保護膜被局部破壞的情況下，也能夠抑制對器件的損傷。因此，在激光照射工序和等離子照射工序的任意工序中，均能夠通過保護膜來適當保護晶片上的器件，能夠得到高品質的器件。