[發(fā)明專利]用于將Cu(In,Ga)(S,Se)2納米粒子與鈉或銻摻雜的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711305001.7 | 申請日: | 2015-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN107919289A | 公開(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 克里斯托弗·紐曼;翁布雷塔·馬薩拉;切特·施泰因哈根 | 申請(專利權(quán))人: | 納米技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/368 | 分類號: | H01L21/368;H01L31/032 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 李新紅 |
| 地址: | 英國曼*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 cu in ga se 納米 粒子 摻雜 方法 | ||
1.鈉摻雜的納米粒子,所述納米粒子包含:
Cu(In,Ga)(S,Se)2納米粒子;和
摻入到所述Cu(In,Ga)(S,Se)2納米粒子中的鈉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子,其中所述Cu(In,Ga)(S,Se)2納米粒子的鈉含量為0.62質(zhì)量%至0.96質(zhì)量%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子,其中所述納米粒子還包含封端配體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的納米粒子,其中所述封端配體是油胺、有機硫醇和三辛基膦中的任一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米粒子,其中所述有機硫醇是1-辛硫醇。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米粒子,其中所述納米粒子通過包括以下步驟的方法制備:在Cu(In,Ga)(S,Se)2納米粒子的合成反應開始時將鈉鹽加入至含銅試劑、含銦試劑和含鎵試劑的混合物中。
7.銻摻雜的納米粒子,其中所述納米粒子包含:
Cu(In,Ga)(S,Se)2納米粒子;和
摻入到所述Cu(In,Ga)(S,Se)2納米粒子中的銻。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的納米粒子,其中所述Cu(In,Ga)(S,Se)2納米粒子的銻含量為0.25質(zhì)量%至0.92質(zhì)量%。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的納米粒子,其中所述納米粒子還包含封端配體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的納米粒子,其中所述封端配體是油胺、有機硫醇和三辛基膦中的任一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的納米粒子,其中所述有機硫醇是1-辛硫醇。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的納米粒子,其中所述納米粒子通過包括以下步驟的方法制備:在Cu(In,Ga)(S,Se)2納米粒子的合成反應開始時將銻鹽加入至含銅試劑、含銦試劑和含鎵試劑的混合物中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





