[發明專利]一種接觸屏及其制備方法在審
| 申請號： | 201711303864.0 | 申請日： | 2017-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN108037549A | 公開（公告）日： | 2018-05-15 |
| 發明（設計）人： | 張紅鑫;王泰升;許文斌;徐佳;藺春波;王鶴;劉建卓;許家林 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | G02B1/118 | 分類號： | G02B1/118;G02B1/18 |
| 代理公司： | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 趙勍毅 |
| 地址： | 130033 吉林省長春*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 接觸 及其 制備 方法 | ||
1.一種接觸屏的制備方法，其特征在于，包括步驟：
S01、利用自組裝的方式，在基片表面鍍膜形成鍍膜層；
S02、通過高溫加熱并退火，在基片表面形成金屬納米顆粒層，所述金屬納米顆粒層的金屬納米顆粒的特征尺寸為10nm-100nm；
S03、利用感應耦合等離子體刻蝕或反應離子束刻蝕對基片進行加工，在所述金屬納米顆粒層的下方形成微納錐狀結構表面。
2.根據權利要求1所述的接觸屏的制備方法，其特征在于，所述基片為藍寶石基片或石英基片。
3.根據權利要求1所述的接觸屏的制備方法，其特征在于，在步驟S01中采用金屬材料或二氧化硅作為鍍膜材料，所述鍍膜層的厚度為12nm-15nm。
4.根據權利要求3所述的接觸屏的制備方法，其特征在于，在步驟S01中采用銅作為鍍膜材料。
5.根據權利要求1所述的接觸屏的制備方法，其特征在于，在步驟S02中，加熱溫度為150-250℃，加熱保持時間為10-150分鐘。
6.根據權利要求1所述的接觸屏的制備方法，其特征在于，在步驟S01和S02中，通過改變膜的厚度來控制所得到金屬納米顆粒的特征尺寸以及分布的均勻性，或通過改變加熱時間和加熱溫度來控制所得到金屬納米顆粒的特征尺寸以及分布的均勻性。
7.根據權利要求1所述的接觸屏的制備方法，其特征在于，在步驟S03中，所述感應耦合等離子體刻蝕所采用的刻蝕氣體包括Ar/BCl
8.一種接觸屏，其特征在于，包括基片，所述基片的表面上有金屬納米顆粒層，所述基片和所述金屬納米顆粒層之間還有微納錐狀結構層；所述基片的表面為平面或非平面，所述基片為藍寶石基片或石英基片，所述金屬納米顆粒層的金屬納米顆粒的特征尺寸為10nm-100nm。
9.根據權利要求7所述的接觸屏，其特征在于，所述微納錐狀結構層為通過感應耦合等離子體刻蝕方法或反應離子束刻蝕方法制備得到。
10.根據權利要求7所述的接觸屏，其特征在于，所述微納錐狀結構層的結構為柱狀、錐狀、金字塔狀、凹坑狀、倒錐狀、倒金字塔狀、棱鏡狀結構中的一種。
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