[發明專利]一種含有共晶組織的陶瓷材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201711302894.X | 申請日： | 2017-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN107879745B | 公開（公告）日： | 2020-08-11 |
| 發明（設計）人： | 劉吉軒;張國軍 | 申請（專利權）人： | 東華大學 |
| 主分類號： | C04B35/58 | 分類號： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若瑩;王文穎 |
| 地址： | 200050 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 含有 組織 陶瓷材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種含有共晶組織的陶瓷材料，其特征在于，包括以質量百分計的HfB2
60～70％、HfC 5～15％及SiC 20～30％；
所述的含有共晶組織的陶瓷材料的制備方法，包括如下步驟：
步驟1)：將HfB2、HfC、SiC原料粉體用濕法球磨使其混合均勻，干燥后得到HfB2-HfC-SiC混合粉體；
步驟2)：將步驟1)得到的混合粉體裝入石墨模具中，先在真空條件下，升溫至1600～1650℃并保溫15～30分鐘；然后施加軸向載荷，使樣品承受25～50MPa的壓強，并通入惰性氣氛，同時，升溫至1900～2200℃，保溫30～90分鐘熱壓燒結制備HfB2-HfC-SiC陶瓷材料；
步驟3)：將步驟2)得到的HfB2-HfC-SiC陶瓷材料進行熱處理：在惰性氣氛下于石墨電阻爐中加熱至2450℃保溫5分鐘，再降溫至2200～2400℃保溫5～30分鐘后停止加熱，待樣品冷卻至室溫后，磨除帶孔隙的表面淺層，即制得含有共晶組織的HfB2-HfC-SiC陶瓷材料。
2.如權利要求1所述的含有共晶組織的陶瓷材料，其特征在于，所述HfB2-HfC-SiC陶瓷材料內部含有的共晶組織各相彼此交錯嵌套構成網絡結構。
3.如權利要求1所述的含有共晶組織的陶瓷材料，其特征在于，所述步驟1)中HfB2原料粉體的粒徑為0.5～1.5μm，質量純度≥98.5％；HfC粉體的粒徑為0.1～1.5μm，質量純度≥99％；SiC粉體的粒徑為0.4～1.5μm，質量純度≥99％。
4.如權利要求1所述的含有共晶組織的陶瓷材料，其特征在于，所述步驟1)中濕法球磨的球磨介質采用乙醇或丙酮，磨球采用SiC陶瓷球。
5.如權利要求1所述的含有共晶組織的陶瓷材料，其特征在于，所述步驟3)中惰性氣氛是指質量純度為99.99～99.999％的氬氣。
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