[發(fā)明專利]高邊輸出三晶體模塊電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711299628.6 | 申請日： | 2017-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN107835004A | 公開（公告）日： | 2018-03-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊明 | 申請（專利權(quán)）人： | 佛山中錦微電科技有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/082 | 分類號： | H03K17/082 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528137 廣東省佛山市三水中*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 輸出 晶體 模塊 電路 | ||
1.一種高邊輸出三晶體模塊電路，其特征在于包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、儲能延時單元、閾值調(diào)整單元和電阻R1，其中：
所述第一晶體管的發(fā)射極接電源正極，所述第一晶體管集電極通過電阻R1連接地，所述第一晶體管的集電極還連接第三晶體管的輸入端(柵極或基極)和儲能延時單元的輸入端，所述第三晶體管的正極端(源極或發(fā)射極)接電源正極，所述第三晶體管的輸出端(漏極或集電極)連接所述第二晶體管的集電極，所述第二晶體管的基極連接所述儲能延時單元的輸出端，所述儲能延時單元的正極端接電源正極，所述第二晶體管的發(fā)射極通過所述閾值調(diào)整單元連接所述第一晶體管的基極，所述第三晶體管輸出端(漏極或集電極)作為所述高邊輸出三晶體模塊電路的輸出端，用于控制外部負(fù)載的熱端；
當(dāng)所述第三晶體管正常導(dǎo)通時，所述儲能延時單元儲能，所述第二晶體管集電極電壓被抬高、使所述第二晶體管的發(fā)射極電流為0進(jìn)而使所述第一晶體管截止；當(dāng)所述第三晶體管過流致使所述第三晶體管飽和壓降超過所述閾值調(diào)整單元導(dǎo)通閾值電壓時，所述第二晶體管的發(fā)射極電流驅(qū)動第一晶體管導(dǎo)通使所述第三晶體管截止得到保護(hù)，當(dāng)所述儲能延時單元的儲能釋放結(jié)束時使所述第二晶體管截止、進(jìn)而使所述第一晶體管截止同時所述儲能延時單元儲能、所述第一晶體管截止還促使所述第三晶體管導(dǎo)通，通過電路的正反饋?zhàn)饔檬顾龅谌w管試圖迅速進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)：若過流解除則所述第三晶體管進(jìn)入正常飽和導(dǎo)通狀態(tài)、若持續(xù)過流則所述第三晶體管過高的飽和壓降通過所述第二晶體管的發(fā)射極電流驅(qū)動第一晶體管導(dǎo)通使所述第三晶體管截止繼續(xù)得到保護(hù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高邊輸出三晶體模塊電路，其特征在于還包括：
二極管D6和電阻R6，所述二極管D6的負(fù)極同時連接所述第二晶體管集電極和所述電阻R6的一端，所述二極管D6的正極連接所述第三晶體管輸出端(漏極或集電極)，所述電阻R6的另一端連接所述第三晶體管輸出端或接地。
3.一種高邊輸出三晶體模塊電路，其特征在于包括：第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、儲能延時單元、閾值調(diào)整單元、電阻R1和二極管D6，其中：
所述第一晶體管的發(fā)射極接電源正極，所述第一晶體管集電極通過電阻R1接地，所述第一晶體管的集電極還連接第三晶體管的輸入端(柵極或基極)和儲能延時單元的輸入端，所述第三晶體管的正極端(源極或發(fā)射極)接電源正極，所述第三晶體管的輸出端(漏極或集電極)通過所述二極管D6連接所述第二晶體管的發(fā)射極，所述第二晶體管的基極連接所述儲能延時單元的輸出端，所述第二晶體管的集電極接地或連接所述第三晶體管的輸出端，所述儲能延時單元的正極端接電源正極，所述第二晶體管的發(fā)射極通過所述閾值調(diào)整單元連接所述第一晶體管的基極，所述第三晶體管輸出端(漏極或集電極)作為所述高邊輸出三晶體模塊電路的輸出端，用于控制外部負(fù)載的熱端；
當(dāng)所述第三晶體管正常導(dǎo)通時，所述儲能延時單元儲能，所述第二晶體管的發(fā)射極電壓被抬高使所述閾值調(diào)整單元和所述第一晶體管截止；當(dāng)所述第三晶體管過流致使所述第三晶體管飽和壓降超過所述閾值調(diào)整單元導(dǎo)通閾值電壓時，所述第二晶體管的發(fā)射極電流驅(qū)動第一晶體管導(dǎo)通使所述第三晶體管截止得到保護(hù)，當(dāng)所述儲能延時單元的儲能釋放結(jié)束時使所述第二晶體管截止、進(jìn)而使所述第一晶體管截止同時所述儲能延時單元儲能、所述第一晶體管截止還促使所述第三晶體管導(dǎo)通，通過電路的正反饋?zhàn)饔檬顾龅谌w管試圖迅速進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)：若過流解除則所述第三晶體管進(jìn)入正常飽和導(dǎo)通狀態(tài)、若持續(xù)過流則所述第三晶體管過高的飽和壓降通過所述第二晶體管的發(fā)射極電流驅(qū)動第一晶體管導(dǎo)通使所述第三晶體管截止繼續(xù)得到保護(hù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高邊輸出三晶體模塊電路，其特征在于：
在所述第二晶體管的集電極回路或發(fā)射極回路上串接有限流電阻。
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