[發(fā)明專利]高頻硅基芯片封裝模塊及封裝方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711297763.7
• 申請(qǐng)日: 2017-12-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108022890A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐海林;李一虎;熊永忠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都聚利中宇科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/31
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 成都市集智匯華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51237
• 代理人: 李華;溫黎娟

1.一種高頻硅基芯片封裝模塊，其特征在于，包括第一金屬腔體波導(dǎo)和第二金屬腔體波導(dǎo)，所述第一金屬腔體波導(dǎo)和所述第二金屬腔體波導(dǎo)由第一模塊和第二模塊拼合形成，所述第一模塊和所述第二模塊表面均為金屬材料，所述第一金屬腔體波導(dǎo)和所述第二金屬腔體波導(dǎo)延伸到該高頻硅基芯片封裝模塊外表面處均設(shè)置有法蘭安裝結(jié)構(gòu)，所述第一模塊正面設(shè)置有第一芯片槽、第一過(guò)渡槽和第二過(guò)渡槽，所述第一金屬腔體波導(dǎo)、第一過(guò)渡槽、第一芯片槽、第二過(guò)渡槽和第二金屬腔體波導(dǎo)依次布置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻硅基芯片封裝模塊，其特征在于，所述第一模塊正面設(shè)置有第一金屬波導(dǎo)槽和第二金屬波導(dǎo)槽，所述第二模塊正面設(shè)置有與第一金屬波導(dǎo)槽位置對(duì)應(yīng)的第三金屬波導(dǎo)槽，以及與第二金屬波導(dǎo)槽對(duì)應(yīng)的第四金屬波導(dǎo)槽，所述第一模塊與所述第二模塊拼合時(shí)，所述第一金屬波導(dǎo)槽與所述第三金屬波導(dǎo)槽拼合形成第一金屬腔體波導(dǎo)，所述第二金屬波導(dǎo)槽與所述第四金屬波導(dǎo)槽拼合形成第二金屬腔體波導(dǎo)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻硅基芯片封裝模塊，其特征在于，所述第二模塊正面設(shè)置有與第一過(guò)渡槽位置對(duì)應(yīng)的第三過(guò)渡槽，以及與第二過(guò)渡槽位置對(duì)應(yīng)的第四過(guò)渡槽，所述第一模塊與所述第二模塊拼合時(shí)，所述第一過(guò)渡槽與所述第三過(guò)渡槽拼合形成第一過(guò)渡腔體，所述第二過(guò)渡槽與所述第四過(guò)渡槽拼合形成第二過(guò)渡腔體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻硅基芯片封裝模塊，其特征在于，所述第二模塊正面設(shè)置有與第一芯片槽位置對(duì)應(yīng)的第二芯片槽，所述第一模塊與所述第二模塊拼合時(shí)，所述第一芯片槽與所述第二芯片槽拼合形成芯片腔體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻硅基芯片封裝模塊，其特征在于，所述第一模塊正面設(shè)置有若干個(gè)直流饋電孔，所述第二模塊設(shè)置有與所述若干個(gè)直流饋電孔位置對(duì)應(yīng)的直流饋電凹槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻硅基芯片封裝模塊，其特征在于，所述第一模塊和第二模塊設(shè)置有位置對(duì)應(yīng)的定位銷(xiāo)釘孔和模塊固定絲孔。

7.一種高頻硅基芯片封裝方法，基于權(quán)利要求1所述的高頻硅基芯片封裝模塊，所述方法包括：

將高頻硅基芯片安置在第一芯片槽，將第一波導(dǎo)過(guò)渡元件安置在第一過(guò)渡槽，將第二波導(dǎo)過(guò)渡元件安置在第二過(guò)渡槽；

將高頻硅基芯片的射頻輸入電極與第一波導(dǎo)過(guò)渡元件的信號(hào)端對(duì)準(zhǔn)，將高頻硅基芯片的射頻輸出電極與第二波導(dǎo)過(guò)渡元件的信號(hào)端對(duì)準(zhǔn)，固定高頻硅基芯片、第一波導(dǎo)過(guò)渡元件和第二波導(dǎo)過(guò)渡元件的位置；

采用金絲鍵合工藝將高頻硅基芯片的射頻輸入電極鍵合到第一波導(dǎo)過(guò)渡元件的信號(hào)端，將高頻硅基芯片的射頻輸出電極鍵合到第二波導(dǎo)過(guò)渡元件的信號(hào)端。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高頻硅基芯片封裝方法，其特征在于，所述將高頻硅基芯片安置在芯片槽，將第一波導(dǎo)過(guò)渡元件安置在第一過(guò)渡槽，將第二波導(dǎo)過(guò)渡元件安置在第一過(guò)渡槽步驟前，還包括：

在高頻硅基芯片的射頻輸入電極端面和射頻輸出電極端面形成固化的金屬層以防止射頻信號(hào)泄露。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高頻硅基芯片封裝方法，其特征在于，所述方法還包括：

在各直流饋電孔中安裝饋電絕緣子器件，采用金絲鍵合工藝將高頻硅基芯片的各直流電極鍵合到對(duì)應(yīng)的饋電絕緣子器件，為高頻硅基芯片提供直流電源。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高頻硅基芯片封裝方法，其特征在于，所述方法還包括：

在第一模塊的定位銷(xiāo)釘孔中安裝定位銷(xiāo)釘，扣上第二模塊，在模塊固定絲孔中擰上緊固件，以固定第一模塊和第二模塊。