[發明專利]一種基于光熱效應的可控量子點陣列制備方法

有效

• 申請號: 201711297406.0
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN107993923B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 毛遂;唐建國;劉繼憲;李海東;朱志軍
• 申請（專利權）人: 青島大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B82Y30/00
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立

1.一種基于光熱效應的可控量子點陣列制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，選擇確定基片材料，并對所述基片材料進行表面清潔；

步驟二，使用物理氣相淀積法制備金屬薄膜，所述金屬薄膜的厚度為0.5～200nm；

步驟三，將所述金屬薄膜在真空條件或保護氣氛下進行退火處理，制備得到金屬納米顆粒陣列；

步驟四，在所述金屬納米顆粒陣列之上進行淀積或氧化生長保護層，所述保護層為氧化物或氮化物；

步驟五，將載有所述金屬納米顆粒陣列的所述基片置于量子點前驅體溶液中，使用光源對所述金屬納米顆粒陣列進行固定或掃描照射處理，所述光源功率密度為0.1～5W/cm²，所述光源為脈沖式或連續式激光；

步驟六，步驟五結束后，對所述基片使用三氯甲烷進行超聲清洗，然后用乙醇對所述基片進行超聲清洗，制備得到可控量子點陣列。

2.如權利要求1所述的一種基于光熱效應的可控量子點陣列制備方法，其特征在于，步驟二中所述金屬薄膜成分由Au、Ag、Cu、Al、In、Pt和Pd中的任一種或幾種組成。

3.如權利要求1所述的一種基于光熱效應的可控量子點陣列制備方法，其特征在于，步驟二中所述物理氣相淀積法中的淀積為濺射淀積、脈沖激光淀積和蒸鍍淀積的任一種。

4.如權利要求1所述的一種基于光熱效應的可控量子點陣列制備方法，其特征在于，步驟三中所述金屬納米顆粒陣列可通過光刻方法制備，代替所述退火處理。

5.如權利要求1所述的一種基于光熱效應的可控量子點陣列制備方法，其特征在于，步驟四中所述保護層厚度為0.1～100nm。

6.如權利要求1所述的一種基于光熱效應的可控量子點陣列制備方法，其特征在于，步驟五中所述量子點前驅體溶液處于流動狀態。