[發(fā)明專利]磁共振成像設(shè)備及其控制方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711297323.1
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN108181596A
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: V.喬治
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01R33/48
• 分類號: G01R33/48;G01R33/28;G05D3/12;A61B5/055
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種磁共振成像(MRI)設(shè)備，包括：

磁體組件，其被配置為在所述磁體組件的內(nèi)部空間中生成磁場；

射頻(RF)接收線圈，其被配置為接收從施加有所述磁場的對象激發(fā)的磁共振(MR)信號；

磁傳感器，其設(shè)置在所述RF接收線圈處，并且被配置為檢測指示由所述磁體組件生成的靜態(tài)場的電壓值；和

處理器，其被配置為基于當(dāng)所述RF接收線圈進(jìn)入所述磁體組件的內(nèi)部空間時從所述磁傳感器發(fā)送的電壓值來確定RF接收線圈是否被放置于正常位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MRI設(shè)備，其中，

所述處理器進(jìn)一步被配置為響應(yīng)于從所述磁傳感器傳輸?shù)碾妷褐党^預(yù)定參考電壓值而確定所述RF接收線圈被放置于正常位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MRI設(shè)備，其中，

所述RF接收線圈與所述磁體組件分離，并且比所述磁體組件更靠近所述對象而布置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MRI設(shè)備，其中，

所述RF接收線圈包括聯(lián)接到所述磁傳感器的直流(DC)導(dǎo)體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MRI設(shè)備，還包括：

轉(zhuǎn)換臺，其被配置將所述對象轉(zhuǎn)移到所述磁體組件的內(nèi)部空間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MRI設(shè)備，其中，

所述處理器進(jìn)一步被配置為響應(yīng)于確定所述RF接收線圈被放置于異常位置而使所述轉(zhuǎn)移臺停止移動。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MRI設(shè)備，還包括：

圖像處理器，其被配置為基于從所述RF接收線圈發(fā)送的MR信號來生成MR圖像；和

顯示器，其被配置為顯示由所述圖像處理器生成的MR圖像，

其中，所述處理器還被配置為響應(yīng)于確定所述RF接收線圈被置于異常位置而控制所述顯示器顯示警告圖像。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MRI設(shè)備，還包括：

聲音輸出接口，其被配置為響應(yīng)于確定所述RF接收線圈被放置于異常位置而向用戶輸出警告聲音。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MRI設(shè)備，其中，

所述磁傳感器包括設(shè)置在所述RF接收線圈處的第一磁傳感器和第二磁傳感器，并且所述第一磁傳感器設(shè)置為與所述第二磁傳感器分開。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的MRI設(shè)備，其中，

所述處理器還被配置為通過將所述第一磁傳感器的第一檢測值和所述第二磁傳感器的第二檢測值與預(yù)定參考電壓值進(jìn)行比較來確定所述RF接收線圈是否被放置于正常位置。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的MRI設(shè)備，其中，

所述處理器還被配置為通過比較所述第一磁傳感器的第一檢測值和所述第二磁傳感器的第二檢測值來確定所述RF接收線圈是否被放置于正常位置。

12.一種磁共振成像(MRI)設(shè)備的控制方法，所述控制方法包括：

通過磁體組件在所述磁體組件的內(nèi)部空間中生成磁場；

通過射頻(RF)接收線圈接收從施加有所述磁場的對象激發(fā)的磁共振(MR)信號；

通過磁傳感器檢測指示由所述磁體組件生成的靜態(tài)場的電壓值；和

基于當(dāng)所述RF接收線圈進(jìn)入所述磁體組件的內(nèi)部空間時從所述磁傳感器發(fā)送的電壓值來確定RF接收線圈是否被放置于正常位置。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的控制方法，其中，

所述確定包括響應(yīng)于從所述磁傳感器發(fā)送的電壓值超過預(yù)定參考電壓值而確定所述RF接收線圈被放置于正常位置。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的控制方法，還包括：

響應(yīng)于確定所述RF接收線圈被放置在異常位置而使所述對象停止移動到所述磁體組件的內(nèi)部空間中。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的控制方法，其中，

所述磁傳感器包括設(shè)置在所述RF接收線圈處的第一磁傳感器和第二磁傳感器，并且所述第一磁傳感器設(shè)置為與所述第二磁傳感器分開，和

所述確定包括通過將所述第一磁傳感器的第一檢測值和所述第二磁傳感器的第二檢測值與預(yù)定參考電壓值進(jìn)行比較來確定所述RF接收線圈是否被放置于正常位置。