[發(fā)明專利]MEMS封裝結(jié)構(gòu)及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711200511.8
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN109835866A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 褚月
• 申請（專利權(quán)）人: 上海路溱微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
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• 代理人: 暫無信息

一種MEMS封裝結(jié)構(gòu)，包括基板和外殼，基板和外殼形成腔體，至少一塊芯片被置于腔體之內(nèi)，并且被安裝固定在基板之上，芯片具有若干芯片焊盤，該芯片焊盤由與其焊接的引線引出，所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)包括一個轉(zhuǎn)接中間件，該轉(zhuǎn)接中間件也被置于由基板和外殼形成的腔體內(nèi)，且被安裝固定在所述芯片的上表面，所述轉(zhuǎn)接中間件的上表面的面積小于所述芯片的上表面，使得轉(zhuǎn)接中間件覆蓋了芯片的上表面的一個局部區(qū)域，所述轉(zhuǎn)接中間件設(shè)有若干轉(zhuǎn)接焊盤，該轉(zhuǎn)接焊盤通過引線與芯片焊盤實(shí)現(xiàn)電連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種MEMS封裝結(jié)構(gòu)及方法。

背景技術(shù)

公告號為CN104465790B的專利文件，公開了現(xiàn)有的MEMS的封裝工藝，尤其公開了“一種MEMS壓力傳感器，包括：形成有若干焊盤的平面基板；安裝于所述平面基板上的若干芯片；通過引線鍵合工藝形成的若干引線，所述引線一端連接一芯片，另一端連接所述平面基板上的一焊盤；以及形成若干引線后固定于所述平面基板上的柵格，所述平面基板與所述柵格構(gòu)成若干容置空間，每一容置空間內(nèi)容置一芯片。

可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，所述柵格包括柵格主體以及形成于所述柵格主體上的若干鏤空區(qū)域，所述若干鏤空區(qū)域與所述若干芯片相對應(yīng)。所述柵格的若干鏤空區(qū)域均為方形。

在所述的MEMS壓力傳感器中，所述柵格通過絕緣膠安裝于所述平面基板上。

可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，所述平面基板與所述柵格主體均為方形結(jié)構(gòu)。

可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，所述平面基板與所述柵格的材質(zhì)相同?？蛇x的，在所述的MEMS壓力傳感器中，所述芯片包括控制芯片以及位于所述控制芯片上的壓敏芯片，所述控制芯片通過導(dǎo)電膠固定于所述平面基板上，所述壓敏芯片通過絕緣膠固定于所述控制芯片上。可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，還包括灌入至所述容置空間內(nèi)的硅凝膠，所述硅凝膠暴露所述壓敏芯片的表面。可選的，在所述的MEMS壓力傳感器中，還包括固定于所述柵格上的蓋板，所述蓋板上設(shè)置有開口”。然而，從上述方案中可以看出，由于芯片設(shè)計(jì)的原因，有時芯片會被設(shè)計(jì)成長方形，或者焊盤(pad)的布置不合理時，無法有效的利用封裝面積，設(shè)計(jì)出更合理的封裝。

另外，公開號為CN101677423A的專利文件，公開了“一種MEMS麥克風(fēng)，包括：一帶進(jìn)聲孔的上蓋板、一殼壁、環(huán)繞并支撐上蓋板；一基板，其上安裝有相互電連接的MEMS芯片和專用集成電路ASIC芯片，所述的基板支撐殼壁和上蓋板；所述基板的內(nèi)部設(shè)有聲音通道，該聲音通道分別與上蓋板的進(jìn)聲孔和MEMS芯片的凹陷部貫通，基板上還設(shè)有將MEMS芯片和專用集成電路ASIC芯片罩住的屏蔽罩，屏蔽罩與基板構(gòu)成的空間為背部聲腔”，該技術(shù)方案，采用了屏蔽罩的設(shè)計(jì)，對MEMS芯片起到了一定的保護(hù)作用，但是還是沒有解決pad布置不合理帶來的問題。

又有，公告號為CN102404676B的專利文件，提及“在圖2a中示出經(jīng)處理的且背面結(jié)構(gòu)化的第一晶片11，在該第一晶片上以及在該第一晶片中實(shí)現(xiàn)多個麥克風(fēng)芯片的功能。在這里看到多個隔膜1和多個帶有焊球7的敷鍍通孔6。敷鍍通孔6的接觸孔有利地在一個加工步驟中與空穴或聲音開口3一起產(chǎn)生。這樣結(jié)構(gòu)化的晶片11的背面接著被設(shè)置可透過聲音的網(wǎng)層8。罩形晶片14與麥克風(fēng)芯片-晶片11無關(guān)地被處理并且被背面結(jié)構(gòu)化。在此產(chǎn)生空槽5，它們的開口大小與隔膜2的大小適配并且也以像隔膜2一樣以相同的格柵設(shè)置。

圖2a示出兩個晶片11和14，在它們校準(zhǔn)之后被相互上下疊置并且相互連接，使得在每個隔膜2上面分別設(shè)置有一個空槽5并且構(gòu)成用于隔膜2的背面容腔。兩個晶片11和14之間的連接必須保證：一個與聲學(xué)要求相應(yīng)的空氣儲池位于背面容腔中。晶片11和14之間的連接可以是粘接的、釬焊的、玻璃化的(geglast)或合金化的。