[發(fā)明專利]MEMS封裝結(jié)構(gòu)及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711200511.8
• 申請日: 2017-11-27
• 公開（公告）號: CN109835866A
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 褚月
• 申請（專利權(quán)）人: 上海路溱微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種MEMS封裝結(jié)構(gòu)，包括基板和外殼，基板和外殼形成腔體，至少一塊芯片被置于腔體之內(nèi)，并且被安裝固定在基板之上，芯片具有若干芯片焊盤，該芯片焊盤由與其焊接的引線引出，其特征在于，所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)包括一個轉(zhuǎn)接中間件，該轉(zhuǎn)接中間件也被置于由基板和外殼形成的腔體內(nèi)，且被安裝固定在所述芯片的上表面，

所述轉(zhuǎn)接中間件的上表面的面積小于所述芯片的上表面，使得轉(zhuǎn)接中間件覆蓋了芯片的上表面的一個局部區(qū)域，

所述轉(zhuǎn)接中間件設(shè)有若干轉(zhuǎn)接焊盤，該轉(zhuǎn)接焊盤通過引線與芯片焊盤實(shí)現(xiàn)電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的MEMS封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接中間件從下表面處構(gòu)造出一個內(nèi)凹的空腔，在轉(zhuǎn)接中間件上表面開有第一通孔。

3.如權(quán)利要求2所述的MEMS封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接中間件從下表面處構(gòu)造出的空腔剖面形狀是梯形、矩形或半圓形。

4.如權(quán)利要求3所述的MEMS封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接中間件上表面的至少一條邊緣是下臺階狀，所述轉(zhuǎn)接焊盤布設(shè)在臺階邊緣表面。

5.如權(quán)利要求1所述的MEMS封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)的外殼表面設(shè)有出氣孔，所述芯片通過貼片膠與基板固定。

6.如權(quán)利要求1所述的MEMS封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片具有敏感區(qū)域，所述轉(zhuǎn)接中間件覆蓋了該敏感區(qū)域。

7.如權(quán)利要求1至6任一所述的MEMS封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，基板和外殼形成的腔體采用塑封料EMC灌注密封。

8.一種MEMS封裝方法，用于MEMS封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)的基板和外殼形成腔體，至少一塊芯片被置于該腔體之內(nèi)，并且被安裝固定在基板之上，芯片具有若干芯片焊盤，該芯片焊盤由與其焊接的引線引出，

其特征在于，將一個轉(zhuǎn)接中間件置于由基板和外殼形成的腔體內(nèi)，且被安裝固定在所述芯片的上表面，

由于所述轉(zhuǎn)接中間件的上表面的面積小于所述芯片的上表面，使得轉(zhuǎn)接中間件覆蓋芯片的上表面的一個局部區(qū)域，

在所述轉(zhuǎn)接中間件上設(shè)有若干轉(zhuǎn)接焊盤，將轉(zhuǎn)接焊盤通過引線與芯片焊盤實(shí)現(xiàn)電連接。

9.如權(quán)利要求8所述的MEMS封裝方法，其特征在于，從所述轉(zhuǎn)接中間件下表面處構(gòu)造出一個內(nèi)凹的空腔，在轉(zhuǎn)接中間件上表面開出第一通孔。

10.如權(quán)利要求9所述的MEMS封裝方法，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接中間件從下表面處構(gòu)造出的空腔剖面形狀是梯形、矩形或半圓形。

11.如權(quán)利要求9所述的MEMS封裝方法，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接中間件上表面的至少一條邊緣是下臺階狀，所述轉(zhuǎn)接焊盤布設(shè)在臺階邊緣表面。

12.如權(quán)利要求8所述的MEMS封裝方法，其特征在于，所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)的外殼表面設(shè)有出氣孔，所述芯片通過貼片膠與基板固定。

13.如權(quán)利要求8所述的MEMS封裝方法，其特征在于，所述芯片具有敏感區(qū)域，用所述轉(zhuǎn)接中間件覆蓋該敏感區(qū)域。

14.如權(quán)利要求8至13任一所述的MEMS封裝方法，其特征在于，采用塑封料EMC灌注密封由基板和外殼形成的腔體。