[發明專利]半導體裝置的形成方法有效
| 申請號： | 201711296845.X | 申請日： | 2017-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN108231897B | 公開（公告）日： | 2022-12-16 |
| 發明（設計）人： | 邱雅文;王喻生;楊凱全;李顯銘;范智翔;李達元;郭觀華 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 馮志云;張福根 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 形成 方法 | ||
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
形成一n型晶體管，包括：
形成自一基板凸起的一第一半導體鰭狀物；以及
形成一第一柵極堆疊于該第一半導體鰭狀物上，其中形成該第一柵極堆疊的步驟包括：
沉積一第一柵極介電層于該第一半導體鰭狀物上；
形成一第一蓋層于該第一柵極介電層上；
采用第一組工藝參數沉積一功函數材料于該第一蓋層上，其中該功函數材料順應性地延伸于該第一蓋層上，其中第一組工藝參數有關于形成具有一第一功函數的該功函數材料，其中該第一功函數有關于該功函數材料的第一結晶方向與第二結晶方向的第一比例；以及
形成一p型晶體管，包括：
形成自該基板凸起的一第二半導體鰭狀物；以及
形成一第二柵極堆疊于該第二半導體鰭狀物上，其中形成該第二柵極堆疊的步驟包括：
沉積一第二柵極介電層于該第二半導體鰭狀物上；
形成一第二蓋層于該第二柵極介電層上；以及
采用第二組工藝參數沉積該功函數材料于該第二蓋層上，其中第二組工藝參數有關于形成具有一第二功函數的該功函數材料，其中該第二功函數有關于該功函數材料的第一結晶方向與第二結晶方向的一第二比例。
2.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，還包括擴散一摻質至該功函數材料中。
3.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其中該摻質為氟。
4.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其中該第一結晶方向的第一摻質擴散力不同于第二結晶方向的第二摻質擴散力。
5.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該功函數材料為氮化鈦。
6.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中該功函數材料的沉積厚度小于
7.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中第一結晶方向為(111)，而第二結晶方向為(200)。
8.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其中存在于該n型晶體管的功函數材料中的第一結晶方向的數量，與存在于該n型晶體管的功函數材料中的第二結晶方向的數量之間的比例即該第一比例。
9.一種半導體裝置的形成方法，包括：
形成一第一晶體管，其包括：
形成第一柵極介電層于基板中的一第一通道區上；
形成一第一蓋層與該第一柵極介電層上；以及
形成一第一功函數層于該第一蓋層上，其中該第一功函數層順應地延伸于該第一蓋層上，其中形成該第一功函數層的步驟包括采用第一工藝條件沉積一功函數材料，以形成具有不同結晶方向的第一比例的該功函數材料；以及
形成一第二晶體管，其包括：
形成一第二柵極介電層于該基板中的一第二通道區上；
形成一第二蓋層于該第二柵極介電層上；以及
形成一第二功函數層于該第二蓋層上，其中該第二功函數層順應性地延伸于該第二蓋層上，其中形成該第二功函數層的步驟包括采用第二工藝條件沉積該功函數材料，以形成具有不同結晶方向的第二比例的該功函數材料。
10.如權利要求9所述的半導體裝置的形成方法，還包括擴散一摻質至該功函數材料中，其中擴散至該功函數層中具有第一結晶方向的區域的該摻質，比擴散至該功函數層中具有第二結晶方向的區域的該摻質多。
11.如權利要求10所述的半導體裝置的形成方法，其中該摻質為氟。
12.如權利要求9所述的半導體裝置的形成方法，其中該第一工藝條件包括第一溫度，其介于320℃至380℃之間。
13.如權利要求9所述的半導體裝置的形成方法，還包括回火該功函數層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711296845.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：半導體裝置
- 下一篇：一種低導通電阻的碳化硅功率半導體器件
- 同類專利
- 專利分類
