[發明專利]一種提高硬盤性能的結構及其方法

在審

• 申請號: 201711296536.2
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN107741771A
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 劉鳳剛
• 申請（專利權）人: 鄭州云海信息技術有限公司
• 主分類號: G06F1/18
• 分類號: G06F1/18;G06F1/20
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司37205
• 代理人: 林秋蘭

技術領域

本發明提供了一種提高硬盤性能的結構及其方法，涉及服務器領域。

背景技術

隨著服務器技術的不斷革新和發展，新一代英特爾（Intel）正式發布了代號為Purley的新一代服務器平臺，包括代號為Skylake的新一代至強（Xeon）CPU，命名為英特爾至強可擴展處理器（Intel Xeon Scalable Processor），也宣告了延續4代的至強E5/E7系列命名方式的終結，至強E7 v4的內核數量已經達到24個，為了支持更多的內核，至強可擴展處理器采用了全新的Mesh互連架構，多達28核，最高205W TDP，TDP也增加了40%以上（205W÷145W），給新一代服務器的設計帶來了很大的挑戰。

熱設計功耗是反應處理器熱量釋放的指標，它的含義是當處理器達到負荷最大的時候，釋放出的熱量。隨著CPU及系統功耗的增加，所以就要求散熱器廠商能夠針對性地設計散熱器，保證CPU或其他芯片能夠穩定工作，目前滿足Purley平臺的散熱風量的風扇最大轉速已達到1.6w轉，這樣高轉速的風扇對系統內關鍵部件，尤其是對振動敏感的硬盤的可靠性會帶來比較大的影響。

基于以上需求，降低系統內的噪音，提高硬盤性能和可靠性就顯得尤為重要。

發明內容

為了解決以上問題，本發明提供了一種提高硬盤性能的結構及其方法，通過在機箱散熱區域中加入隔音結構的降噪方案，來滿足在高風扇轉速下，減弱對硬盤性能衰減的情況。

本發明的技術方案如下：一種提高硬盤性能的結構，硬盤安裝在設置有風扇墻的機箱內，所述風扇墻的吹風口朝向硬盤，所述硬盤與風扇墻之間存在間隔區域，機箱蓋體上設置有通風孔，所述通風孔的位置與間隔區域的位置相對應，所述通風孔的周圍設置有吸音結構，所述吸音結構設置在機箱蓋體的內表面上。

本發明技術方案還包括：所述吸音結構設置在通風孔的兩側。

本發明技術方案還包括：所述吸音結構的設置方向與通風孔的設置方向相同。

本發明技術方案還包括：所述吸音結構為吸音棉。

本發明技術方案還包括：所述吸音棉為防火吸音棉和/或三聚氰胺海綿。

本發明技術方案還包括：所述吸音棉的厚度為4mm，所述吸音棉的寬度與機箱蓋體的寬度相適應。

本發明還提供了一種提高硬盤性能的方法，在機箱蓋體上設置通風孔，所述通風孔的設置位置與機箱的散熱區域的位置相對應，在機箱蓋體的內表面上圍繞通風孔設置吸音結構。

本發明技術方案還包括：所述吸音結構為吸音棉。

本發明的有益效果為：本發明提供了一種提高硬盤性能的結構及其方法，加入吸音棉方案后，硬盤的性能有了顯著提升，能夠滿足當前測試標準和需要。間隔區域為主要的散熱區域，是產生噪音的主要區域，設置在機箱蓋體上的通風孔是機箱與外界進行熱交換及聲音交換的主要途徑，將吸音結構設置在通風孔周圍能夠更有效地吸收噪音，且吸音結構設置在機箱蓋體的內表面上，即將吸音結構設置在靠近噪聲源的一側，能夠進一步提高吸音的效果，從而達到減弱聲音減少震動頻率，以保障或提高硬盤的性能。并且該方案無需對現有機箱的主體結構進行調整，只需在通風孔附近設置吸音結構即可，能夠有效節省成本。該結構適應性較廣，對多種不同型號的硬盤均可起到提升性能的作用，可在機箱生產時進行批量導入，有效提高硬盤的可靠性。

附圖說明

圖1為本發明吸音結構安裝位置示意圖；

圖2為本發明吸音結構在機箱內對應位置示意圖。

其中，1、機箱蓋體，2、通風孔，3、風扇墻，4、吸音棉。

具體實施方式

下面將結合附圖和實施例對本發明作進一步介紹。

同時，由于下文所述的只是部分實施例，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

一種提高硬盤性能的結構，硬盤安裝在設置有風扇墻3的機箱內，所述風扇墻3的吹風口朝向硬盤，所述硬盤與風扇墻3之間存在間隔區域，機箱蓋體1上設置有通風孔2，所述通風孔2的位置與間隔區域的位置相對應，所述通風孔2的周圍設置有吸音結構，所述吸音結構設置在機箱蓋體1的內表面上。

間隔區域為主要的散熱區域，是產生噪音的主要區域，設置在機箱蓋體上的通風孔是機箱與外界進行熱交換及聲音交換的主要途徑，將吸音結構設置在通風孔2周圍能夠更有效地吸收噪音，且吸音結構設置在機箱蓋體1的內表面上，即將吸音結構設置在靠近噪聲源的一側，能夠進一步提高吸音的效果，從而達到減弱聲音減少震動頻率，以保障或提高硬盤的性能。