[發明專利]存儲器及其形成方法

有效

• 申請號: 201711295945.0
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN107895721B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 請求不公布姓名
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

一襯底，所述襯底定義有一器件區；

多條位線傳導層，形成在所述襯底的所述器件區上，多條所述位線傳導層沿相同的方向延伸；

位線保形層，形成在所述襯底的所述器件區上并貼附在所述位線傳導層的側壁，并且所述位線保形層由一形成在所述襯底上的保形介質層構成，所述保形介質層中位于所述器件區中的部分構成所述位線保形層；以及，

位線掩蔽層，形成在所述襯底的所述器件區上并遮蓋所述位線傳導層的側壁，所述位線掩蔽層中對應在所述位線傳導層側壁的部分有間隔地遮蓋所述位線保形層中貼附在所述位線傳導層側壁的部分，以設置一位線分隔夾層在所述位線保形層和所述位線掩蔽層之間，所述位線分隔夾層的介電常數小于所述位線保形層的介電常數且小于所述位線掩蔽層的介電常數，并且所述位線掩蔽層由一形成在所述襯底上的掩蔽介質層構成，所述掩蔽介質層中位于所述器件區中的部分構成所述位線掩蔽層；

其中，相鄰的所述位線傳導層中相鄰的側壁相互面對，以使相鄰的所述位線傳導層之間利用所述位線保形層、所述位線分隔夾層和所述位線掩蔽層相互隔離。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述位線分隔夾層包括氣體間隙，由所述位線保形層中貼附在所述位線傳導層側壁的部分、所述位線分隔夾層的所述氣體間隙、所述位線掩蔽層中遮蓋所述傳導層側壁的部分構成所述位線傳導層的側墻隔離結構。

3.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，還包括：

位線頂蓋層，形成在所述襯底的所述器件區上并覆蓋所述位線保形層的頂部、所述位線分隔夾層的所述氣體間隙的頂部和所述位線掩蔽層的頂部，以封閉所述位線分隔夾層的所述氣體間隙的頂部開口，并且所述位線頂蓋層由一形成在所述襯底上的頂蓋介質層構成，所述頂蓋介質層中位于所述器件區中的部分構成所述位線頂蓋層。

4.如權利要求3所述的存儲器，其特征在于，所述位線頂蓋層更延伸覆蓋所述位線傳導層的頂部和所述位線掩蔽層中遠離所述位線傳導層一側的側壁，以包覆所述位線傳導層。

5.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述位線保形層封閉所述位線分隔夾層的所述氣體間隙的底部開口，由所述位線保形層中貼附在所述位線傳導層側壁的部分至所述位線掩蔽層中遮蓋所述傳導層側壁的部分定界所述位線分隔夾層的所述氣體間隙的兩側寬度邊界。

6.如權利要求2所述的存儲器，其特征在于，所述位線分隔夾層的所述氣體間隙包括含氮氣體間隙。

7.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述位線分隔夾層包括低K介質層，所述低K介質層覆蓋所述位線保形層中貼附在所述位線傳導層的側壁的部分，由所述位線保形層中貼附在位線傳導層側壁的部分、所述位線分隔夾層的所述低K介質層、所述位線掩蔽層中遮蓋所述傳導層側壁的部分構成所述位線傳導層的側墻隔離結構。

8.如權利要求7所述的存儲器，其特征在于，所述位線保形層沿著所述位線傳導層的邊界貼附在所述位線傳導層的頂部和側壁；以及，所述位線掩蔽層覆蓋所述低K介質層的側壁，并延伸覆蓋所述低K介質層的頂部和所述位線傳導層的頂部，以包覆所述位線傳導層。

9.如權利要求1～8任一項所述的存儲器，其特征在于，所述襯底還定義有一位于所述器件區外圍的外圍區，所述存儲器還包括：

多個外圍電路傳導層，形成在所述襯底的所述外圍區上；

外圍保形層，形成在所述襯底的所述外圍區上并貼附在所述外圍電路傳導層的側壁，并且所述保形介質層還形成在所述襯底的所述外圍區上以構成所述外圍保形層；

外圍掩蔽層，形成在所述襯底的所述外圍區上并遮蓋所述外圍電路傳導層的側壁，并且所述外圍掩蔽層中對應在所述外圍電路傳導層側壁的部分有間隔地遮蓋所述外圍保形層中貼附在所述外圍電路傳導層側壁的部分，以設置一外圍分隔夾層在所述外圍保形層和所述外圍掩蔽層之間，所述外圍分隔夾層的介電常數小于所述外圍保形層的介電常數且小于所述外圍掩蔽層的介電常數；并且，所述掩蔽介質層中位于所述外圍區中的部分構成所述外圍掩蔽層。