[發明專利]一種基于肖特基-MOS混合結構的光致負阻器件有效
| 申請號： | 201711295008.5 | 申請日： | 2017-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN108155267B | 公開（公告）日： | 2019-09-13 |
| 發明（設計）人： | 徐楊;李煒;郭宏偉;劉威;萬霞;劉粒祥;呂建杭;李泠霏;阿亞茲;胡樂;劉晨;俞濱 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | H01L31/11 | 分類號： | H01L31/11;H01L31/113;H01L31/108 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 劉靜;邱啟旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 上表面 半導體 襯底 氧化物隔離層 混合結構 石墨烯 氧化層 光致負阻器件 頂電極 內側壁 肖特基 覆蓋 覆蓋氧化物 光控振蕩器 石墨烯薄膜 發明器件 光電開關 透明電極 肖特基結 元件并聯 阻抗特性 電極 隔離層 環形頂 氧化物 負阻 源層 光照 電路 暴露 響應 應用 | ||
1.一種基于肖特基-MOS混合結構的光致負阻器件，其特征在于，包括：底電極(1)、半導體襯底(2)、氧化物隔離層(3)、氧化層窗口(4)、頂電極(5)、石墨烯薄膜(6)；其中，所述半導體襯底(2)的上表面覆蓋氧化物隔離層(3)，在氧化物隔離層(3)的上表面覆蓋環形頂電極(5)，頂電極(5)的邊界小于氧化物隔離層(3)的邊界；在氧化物隔離層(3)上開有與環形頂電極(5)同軸的圓形氧化層窗口(4)，使窗口區域的半導體襯底(2)暴露出來；頂電極(5)內邊緣到氧化層窗口(4)外邊緣的距離為半導體襯底(2)的少數載流子擴散長度，且氧化層窗口(4)的面積為頂電極(5)所圍面積的1/10～1/9；在氧化層窗口(4)的內側壁、半導體襯底(2)的暴露部分、環形頂電極(5)的內側壁和上表面、環形頂電極(5)所圍的氧化物隔離層(3)的上表面覆蓋石墨烯薄膜(6)；在半導體襯底(2)下表面設置底電極(1)。
2.根據權利要求1所述的一種基于肖特基-MOS混合結構的光致負阻器件，其特征在于，所述石墨烯薄膜(6)同時覆蓋在氧化物隔離層(3)和氧化層窗口(4)上構成MOS結和肖特基結的混合結構。
3.根據權利要求1所述的一種基于肖特基-MOS混合結構的光致負阻器件，其特征在于，所述半導體襯底(2)為電阻率為1～10Ω·cm的n型硅襯底。
4.根據權利要求3所述的一種基于肖特基-MOS混合結構的光致負阻器件，其特征在于，所述頂電極(5)內邊緣到氧化層窗口(4)外邊緣的距離在100～200um之間。
5.根據權利要求3所述的一種基于肖特基-MOS混合結構的光致負阻器件，其特征在于，該負阻器件工作的必要條件為光功率大于5μW的外部光源照射。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
