[發明專利]半導體裝置的制造方法在審
| 申請號： | 201711294959.0 | 申請日： | 2017-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN108807182A | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發明（設計）人： | 黃明杰;章勛明;陳嘉仁;張銘慶;古淑瑗;黃泰鈞;王俊堯;李資良;徐志安 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 馮志云;張福根 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬柵極結構 半導體裝置 介電材料 硬掩模層 圖案化 蓋層 制造 鰭片 開口 蝕刻選擇性 暴露 移除 環繞 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的制造方法，包括：
形成一第一介電材料于一虛設柵極結構周圍；
用一金屬柵極結構置換該虛設柵極結構；
在該第一介電材料的一上表面上方形成一掩模層，其中該掩模層的一蝕刻速率比該金屬柵極結構的一蝕刻速率慢；
在該金屬柵極結構和該掩模層上方形成一圖案化的硬掩模層，其中該圖案化的硬掩模層將該金屬柵極結構的一部分和該掩模層的至少一部分暴露出來；
移除由該圖案化的硬掩模層暴露出的該金屬柵極結構的該部分，藉此在該金屬柵極結構中形成一開口；以及
以一第二介電材料填充該開口。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
