[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管結構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711294821.0 | 申請日: | 2017-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN108054288A | 公開(公告)日: | 2018-05-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 郭曉霞;鄧艷玲;柯賢軍;蘇君海;李建華 | 申請(專利權)人: | 信利(惠州)智能顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 葉劍 |
| 地址: | 516029 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發(fā)光二極管 結構 | ||
1.一種有機發(fā)光二極管結構,其特征在于,包括:
襯底基板,
陽極層,所述陽極層設置于所述襯底基板上;
有機薄膜結構,所述有機薄膜結構設置于所述陽極層的背離所述襯底基板的一側,所述有機薄膜結構用于發(fā)光;
陰極層,所述陰極層包括相連接的陰極層本體和第一凸起部,所述陰極層本體設置于所述有機薄膜結構的背離所述陽極層的一側,所述第一凸起部位于所述陰極層本體的背離所述有機薄膜結構的一側;以及
緩沖層,所述緩沖層包括相連接的緩沖層本體和第二凸起部,所述緩沖層本體設置于所述陰極層本體背離所述有機薄膜結構的一側,所述緩沖層本體背離所述陰極層本體的一側裸露于空氣中,所述第二凸起部位于所述緩沖層本體裸露于空氣中的一側上,所述緩沖層本體鄰近所述陰極層本體的一側形成有與所述第一凸起部相適配的第一凹槽;
所述襯底基板的與所述陽極層接觸的一側為凹凸不平整結構,所述陽極層、所述有機薄膜結構、所述陰極層和所述緩沖層依次設于所述襯底基板上。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管結構,其特征在于,所述有機薄膜結構包括空穴傳輸層、電子傳輸層以及位于所述空穴傳輸層和所述電子傳輸層之間的有機發(fā)光層,所述空穴傳輸層、所述電子傳輸層和所述有機發(fā)光層的表面均為非平面結構;所述有機發(fā)光層用于發(fā)光;
所述陽極層包括相連接的陽極層本體和陽極層凸起部,所述陽極層本體的背離所述陽極層凸起部的一側與所述襯底基板連接,所述空穴傳輸層的鄰近所述陽極層凸起部的一側形成有與所述陽極層凸起部相適配的傳輸層凹槽,使得所述空穴傳輸層設置于所述陽極層上;
所述陰極層本體的鄰近所述電子傳輸層的一側形成有與所述電子傳輸層相適配的陰極層凹槽,使得所述陰極層本體設置于所述有機薄膜結構上。
3.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光二極管結構,其特征在于,所述有機薄膜結構還包括空穴注入層,所述空穴注入層位于所述陽極與所述空穴傳輸層之間。
4.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光二極管結構,其特征在于,所述有機薄膜結構還包括空穴阻擋層,所述空穴阻擋層位于所述空穴傳輸層與所述有機發(fā)光層之間。
5.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光二極管結構,其特征在于,所述有機薄膜結構還包括電子阻擋層,所述電子阻擋層位于所述有機發(fā)光層與所述電子傳輸層之間。
6.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光二極管結構,其特征在于,所述第一凸起部的橫截面呈梯形狀。
7.根據(jù)權利要求2所述的有機發(fā)光二極管結構,其特征在于,所述第一凸起部的數(shù)目為多個,多個所述第一凸起部等距間隔分布于所述陰極層本體上。
8.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管結構,其特征在于,所述緩沖層本體與所述第二凸起部一體成型。
9.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管結構,其特征在于,所述第二凸起部的橫截面呈梯形狀。
10.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光二極管結構,其特征在于,所述第二凸起部的數(shù)目為多個,多個所述第二凸起部等距間隔分布于所述緩沖層本體上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





