[發明專利]肖特基勢壘整流器及其制備方法有效
| 申請號： | 201711293800.7 | 申請日： | 2017-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN108133884B | 公開（公告）日： | 2019-08-16 |
| 發明（設計）人： | 馬文力;金銀萍;楊勇;姚偉明 | 申請（專利權）人： | 揚州國宇電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/329;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 談杰 |
| 地址： | 225000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 肖特基勢壘層 反向漏電流 抑制層 阻擋層 表面沉積 功函數 肖特基勢壘整流器 半導體層 第一電極 制備 功函數調整 肖特基勢壘 表面形成 傳統工藝 第二電極 濺射靶材 連續調節 生產難度 背面 兼容 | ||
1.一種肖特基勢壘整流器制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
在半導體層的表面通過濺射Ti層形成肖特基勢壘層；
在所述肖特基勢壘層的表面采用直接濺射工藝沉積形成阻擋層；
在所述阻擋層的表面采用濺射鍍膜工藝形成反向漏電流抑制層；
在所述反向漏電流抑制層的表面形成第一電極層，第一電極層從下至上依次為Ti/Ni/Ag；
在所述半導體層的背面形成第二電極層；
其中，所述反向漏電流抑制層的功函數高于所述肖特基勢壘層的功函數；
其中，所述肖特基勢壘層采用濺射工藝并經過快速退火沉積形成；且在形成所述肖特基勢壘層時，退火溫度為600℃～900℃；
所述肖特基勢壘層的成分是TiSi2；所述反向漏電流抑制層的成分是Al；所述阻擋層的成分是TiN；所述肖特基勢壘層的厚度與所述阻擋層的厚度之和的取值范圍為
所述肖特基勢壘層的厚度取值范圍為
所述反向漏電流抑制層的厚度取值范圍為
2.一種肖特基勢壘整流器，其特征在于，采用權利要求1所述的肖特基勢壘整流器制備方法制備形成，包括半導體層、第一電極層、肖特基勢壘層、阻擋層、反向漏電流抑制層和第二電極層；
其中，所述肖特基勢壘層、所述阻擋層和所述反向漏電流抑制層形成于所述第一電極層與所述第二電極層之間；
所述肖特基勢壘層形成于所述半導體層的表面；
所述阻擋層形成于所述肖特基勢壘層的表面；
所述反向漏電流抑制層形成于所述阻擋層的表面；
所述第一電極層形成于所述反向漏電流抑制層的表面；
所述第二電極層形成于所述半導體層的背面；
所述反向漏電流抑制層的功函數高于所述肖特基勢壘層的功函數；所述反向漏電流抑制層的功函數高于所述阻擋層的功函數；
所述肖特基勢壘層的功函數與所述阻擋層的功函數相同。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
