[發(fā)明專利]氧固醇的多晶形式和其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711293638.9 | 申請日: | 2017-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN108218941A | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | R·E·哈林頓;J·C·雅各布斯 | 申請(專利權(quán))人: | 華沙整形外科股份有限公司 |
| 主分類號: | C07J9/00 | 分類號: | C07J9/00;A61K31/575;A61P9/10;A61P29/00;A61P19/08 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 錢文宇;陳揚揚 |
| 地址: | 美國印*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多晶型物 混合物 制備 藥物組合物 固醇 多晶 漿料 轉(zhuǎn)化 | ||
1.一種OXY133多晶型物的固體形式,包含多晶型物形式C、多晶型物形式D、多晶型物形式E、多晶型物形式F、多晶型物形式G、多晶型物形式H、多晶型物形式I或其混合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶型物,其中所述OXY133多晶型物是產(chǎn)生包含以下反射中的一個或多個的X射線粉末衍射圖的多晶型物形式C:13.2,13.3和15.96±0.2度2θ。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶型物,其中所述多晶型物形式C的X射線粉末衍射圖進(jìn)一步包含以下反射中的一個或多個:11.8,14.9和17.9±0.2度2θ。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶型物,其中所述OXY133多晶型物是產(chǎn)生包含以下反射中的一個或多個的X射線粉末衍射圖的多晶型物形式D:15.3,15.7和17.7±0.2度2θ。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶型物,其中所述多晶型物形式D的X射線粉末衍射圖進(jìn)一步包含以下反射中的一個或多個:11.9,13.2和18.0±0.2度2θ。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶型物,其中所述OXY133多晶型物是產(chǎn)生包含以下反射中的一個或多個的X射線粉末衍射圖的多晶型物形式E:5.9,10.2和14.96±0.2度2θ。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶型物,其中所述多晶型物形式E的X射線粉末衍射圖進(jìn)一步包含以下反射中的一個或多個:11.79,11.84和17.9±0.2度2θ。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶型物,其中所述OXY133多晶型物是產(chǎn)生包含以下反射中的一個或多個的X射線粉末衍射圖的多晶型物形式F:5.86,13.38和20.01±0.2度2θ。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多晶型物,其中所述多晶型物形式F的X射線粉末衍射圖進(jìn)一步包含以下反射中的一個或多個:11.85,14.93和17.91±0.2度2θ。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶型物,其中所述OXY133多晶型物是產(chǎn)生包含以下反射中的一個或多個的X射線粉末衍射圖的多晶型物形式G:15.0,16.0和18.8±0.2度2θ。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多晶型物,其中所述多晶型物形式G的X射線粉末衍射圖進(jìn)一步包含以下反射中的一個或多個:5.9,11.9和17.96±0.2度2θ。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶型物,其中所述OXY133多晶型物是產(chǎn)生包含以下反射中的一個或多個的X射線粉末衍射圖的多晶型物形式H:7.87,16.32和18.90±0.2度2θ。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多晶型物,其中所述多晶型物形式H的X射線粉末衍射圖進(jìn)一步包含以下反射中的一個或多個:9.92,15.00和16.72±0.2度2θ。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶型物,其中所述OXY133多晶型物是產(chǎn)生包含以下反射中的一個或多個的X射線粉末衍射圖的多晶型物形式I:13.19,13.42和14.98±0.2度2θ。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多晶型物,其中所述多晶型物形式I的X射線粉末衍射圖進(jìn)一步包含以下反射中的一個或多個:5.91,11.92和17.97±0.2度2θ。
16.一種用于制備OXY133多晶型物的方法,所述方法包含使OXY133的漿料經(jīng)受足以將OXY133轉(zhuǎn)化為OXY133多晶型物的條件,其中所述OXY133多晶型物包含多晶型物形式C、多晶型物形式D、多晶型物形式E、多晶型物形式F、多晶型物形式G、多晶型物形式H、多晶型物形式I或其混合物。
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