[發明專利]一種制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法

在審

• 申請號: 201711292917.3
• 申請日: 2017-12-08
• 公開（公告）號: CN108046767A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 曾學云;舒永春;劉洋;孫本雙
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: C04B35/01
• 分類號: C04B35/01;C04B35/453;C04B35/626;C04B35/622;B28B1/26;B28B7/18
• 代理公司: 北京衛智暢科專利代理事務所(普通合伙) 11557
• 代理人: 唐維鐵

本發明公開了一種制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法，利用真空球磨過程得到氧化物漿料，然后注漿成型，并進行燒結過程，在燒結過程之前還可以進行氧化物靶材坯體的干燥過程；真空球磨過程的真空度在10Pa以下，球磨時間在48?72小時之間，利用該方法制備的氧化物陶瓷靶材坯體尺寸大，工藝簡單，可以制得圓筒形、平板形等不同形狀的高密度氧化物靶材坯體。

技術領域

本發明屬于陶瓷材料制備領域，具體涉及一種制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法。

背景技術

氧化物陶瓷靶材，主要應用于透明導電膜(Transparent conductive oxide，簡稱TCO)的生產。近年來,隨著液晶顯示、觸控面板、有機發光顯示、太陽能電池等的發展,使得透明導電薄膜成為關鍵性材料之一。

目前常用的制備氧化物靶材的方法是采用模壓、等靜壓成型工藝來制造密度均勻的坯體,但是所使用的模具制作復雜,不易制作,從而不易于制備大尺寸高密度靶材坯體。

現有技術中(例如CN205816478U、CN105965746A)公開有圓筒靶材成型的裝置和模具，但是其結構復雜，不易操作。

發明內容

為了至少解決以上提到現有技術存在的技術問題之一，本發明公開了一種制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法，該方法利用真空球磨過程得到氧化物漿料，然后將所述氧化物漿料澆注成型得到氧化物陶瓷靶材坯體。

作為本發明可選實施例，制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法還可以包括氧化物陶瓷靶材坯體的燒結過程。

作為本發明可選實施例，制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法中，在燒結過程之前還可以包括氧化物陶瓷靶材坯體的干燥過程。

作為本發明可選實施例，制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法中，真空球磨過程的真空度可以設置在10Pa以下，球磨時間可以設置在48-72小時之間。

作為本發明可選實施例，制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法中，氧化物漿料的組成可以包括氧化物粉體、分散劑、膠粘劑、高分子有機物和水。

作為本發明可選實施例，制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法中，氧化物漿料中氧化物粉體的體積含量在35-60％之間。

進一步，作為較為優選實施例，氧化物漿料中氧化物粉體的體積含量在38-58％之間。

作為本發明可選實施例，制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法中，氧化物粉體可以包括In2O3、SnO2、Ga2O3、ZnO、Al2O3中一種或兩種以上的組合；

作為本發明可選實施例，制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法中，氧化物漿料中的分散劑可以是聚丙烯酸或聚丙烯酸，其質量與氧化物粉體的質量比在0.8wt％～2.8wt％之間。

作為本發明可選實施例，制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法中，氧化物漿料中的膠粘劑可以是阿拉伯樹膠或聚乙烯醇，其質量與氧化物粉體的質量比在0.3wt％～1.2wt％之間。

作為本發明可選實施例，制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法中，氧化物漿料中的高分子有機物可以是丙烯酰胺或聚丙烯酰胺，其質量與氧化物粉體的質量比在0.5wt％～2.0wt％。

作為本發明可選實施例，制備氧化物陶瓷靶材坯體的方法中，氧化物漿料中的水可以是超純水，其電阻率可以選定為大于10MΩcm。

作為本發明可選實施例，利用氧化物陶瓷靶材坯體制備方法中，經過真空球磨的氧化物漿料粘度可以選擇小于100厘泊。