[發(fā)明專利]包封薄膜和使用該包封薄膜包封有機(jī)電子裝置的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711292362.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107946477B | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柳賢智;李承民;金賢碩;張錫基;文晶玉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | LG化學(xué)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56;B32B9/00;B32B9/04;B32B15/08;B32B27/28 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 鄭毅;趙丹 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜 使用 有機(jī) 電子 裝置 方法 | ||
1.一種用于包封有機(jī)電子裝置的包封薄膜,包括:
金屬層;以及
包封層,該包封層包含包封樹脂,所述包封樹脂包括二烯與包含碳-碳雙鍵的烯烴類化合物的共聚物;
其中,所述包封層在室溫下拉伸模量為0.001至500MPa。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包封薄膜,其中,所述金屬層的熱導(dǎo)率為50W/mK以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包封薄膜,其中,所述金屬層包含金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物、金屬硼氧化物及其混合物中的任意一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的包封薄膜,其中,所述金屬層包含氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、氧化銦錫、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈮及其混合物中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包封薄膜,其中,所述金屬層還包括基底。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的包封薄膜,其中,所述基底是聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、氯乙烯共聚物、聚氨基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、聚酰亞胺、尼龍及其組合中的任意一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包封薄膜,其中,所述包封層以單層或至少兩層形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的包封薄膜,其中,所述包封層以至少兩層形成,至少一層在室溫下的拉伸模量為0.001至500MPa。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包封薄膜,其中,所述包封樹脂還包括苯乙烯類樹脂、聚烯烴類樹脂、熱塑性彈性體、聚氧化烯類樹脂、聚酯類樹脂、聚氯乙烯類樹脂、聚碳酸酯類樹脂、聚苯硫醚類樹脂、烴的混合物、聚酰胺類樹脂、丙烯酸酯類樹脂、環(huán)氧類樹脂、硅類樹脂、氟類樹脂或其混合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包封薄膜,其中,所述包封樹脂還包括可固化樹脂。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的包封薄膜,其中,所述可固化樹脂包含選自縮水甘油基、異氰酸酯基、羥基、羧基、酰胺基、環(huán)氧基、環(huán)醚基、硫醚基、縮醛基和內(nèi)酯基中的至少一種可固化官能團(tuán)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的包封薄膜,其中,所述可固化樹脂是分子結(jié)構(gòu)中包含環(huán)狀結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的包封薄膜,其中,所述可固化樹脂是硅烷改性的環(huán)氧樹脂。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的包封薄膜,其中,所述包封層還包含吸濕劑。
15.一種包封有機(jī)電子裝置的產(chǎn)品,包括:
襯底;
在所述襯底上形成的有機(jī)電子裝置;以及
用于包封所述有機(jī)電子裝置的根據(jù)權(quán)利要求1至14中任意一項(xiàng)所述的包封薄膜,
其中,所述包封薄膜的包封層粘附在所述有機(jī)電子裝置的整個(gè)表面上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的產(chǎn)品,其中,所述有機(jī)電子裝置是有機(jī)發(fā)光二極管。
17.一種包封有機(jī)電子裝置的方法,包括:
將根據(jù)權(quán)利要求1至14中任意一項(xiàng)所述的包封薄膜的包封層施加在其上形成有有機(jī)電子裝置的襯底上以粘附在該有機(jī)電子裝置的整個(gè)表面上;以及
固化所述包封層。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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