[發明專利]半導體元件制造方法在審
| 申請號： | 201711292073.2 | 申請日： | 2017-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN108630761A | 公開（公告）日： | 2018-10-09 |
| 發明（設計）人： | 林時彥;陳冠超;李嗣涔;潘正圣 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司;林時彥 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硫族化物膜 金屬 等離子蝕刻 硫族元素 半導體元件制造 施加 等離子 基板 損傷 修復 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件制造方法，其特征在于，包括：
通過將一等離子施加到多個金屬二硫族化物膜，來等離子蝕刻設置在一基板上的所述多個金屬二硫族化物膜的一部分，所述多個金屬二硫族化物膜包含一金屬和一硫族元素的一化合物；以及
在該等離子蝕刻之后，將一額外量的該硫族元素施加到所述多個金屬二硫族化物膜的多個剩余部分，以修復該等離子蝕刻對所述多個金屬二硫族化物膜的所述多個剩余部分的損傷，
其中該硫族元素是S、Se或Te。
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