[發明專利]一種量子點白光LED及其制備方法有效
| 申請號： | 201711291145.1 | 申請日： | 2017-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN108110123B | 公開（公告）日： | 2019-07-05 |
| 發明（設計）人： | 韓煒;蔡冬;尉國棟;馬天程 | 申請（專利權）人： | 吉林大學 |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 長春吉大專利代理有限責任公司 22201 | 代理人： | 劉世純;王恩遠 |
| 地址： | 130012 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子點 白光LED 制備 薄膜層 紅光 藍光LED芯片 半導體照明 發光穩定性 高發光效率 高顯色指數 表面晶格 電致發光 發光效率 分層結構 能量傳遞 熱穩定性 梯度合金 涂覆方式 芯片表面 照明領域 低色溫 多殼層 光退化 包覆 殼層 綠光 涂覆 匹配 摻雜 外部 吸收 | ||
1.一種量子點白光LED的制備方法，其步驟如下：
(1)制備核摻雜Cu2+、殼層摻雜Al3+的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al綠光量子點，然后分散于有機溶劑中得到100～300mg/mL的量子點溶液；
(2)制備梯度合金的CdSe/CdS/ZnS紅光量子點，然后分散于有機溶劑中得到0.5～5.0mg/mL量子點溶液；
(3)將步驟(2)制備的1mL的CdSe/CdS/ZnS量子點溶液加入到0.5～0.8g硅膠樹脂A中，攪拌均勻，在40～60℃真空條件下熱處理20～40min以除去溶劑，然后再加入0.2～0.5g硅膠樹脂B固化劑，并攪拌均勻，得到CdSe/CdS/ZnS量子點與硅膠樹脂混合物；
(4)取10～30μL步驟(3)制備的CdSe/CdS/ZnS量子點與硅膠樹脂混合物滴涂在藍光LED芯片上，并在室溫下空氣中固化1～3h，得到的量子點薄膜的厚度為10～50μm；
(5)將步驟(1)制備的2mL的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子點溶液加入到0.5～0.8g硅膠樹脂A中，攪拌均勻，在40～60℃真空條件下熱處理20～40min以除去溶劑，然后加入0.2～0.5g硅膠樹脂B固化劑，并攪拌均勻，得到Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子點與硅膠樹脂混合物；
(6)取10～30μL步驟(5)制備的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子點與硅膠樹脂混合物滴涂在步驟(4)制備的滴涂有CdSe/CdS/ZnS量子點層的藍光LED芯片上，在室溫下空氣中固化1～3h，然后在60～100℃真空條件下干燥處理1～3h，得到量子點薄膜厚度為10～50μm的量子點白光LED。
2.如權利要求1所述的一種量子點白光LED的制備方法，其特征在于：所述的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al綠光量子點是以ZnInS為核，在核中摻雜Cu2+；以ZnS為殼，在殼的外層摻雜Al3+，其中Cu2+和Zn2+的摩爾比為(0.01～0.1)：1，Al3+和Zn2+的摩爾比為(2～10)：1。
3.如權利要求1所述的一種量子點白光LED的制備方法，其特征在于：有機溶劑為氯仿、甲苯或正己烷。
4.如權利要求1所述的一種量子點白光LED的制備方法，其特征在于：Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子點的峰值波長為510～550nm，CdSe/CdS/ZnS量子點的峰值波長為600～630nm。
5.如權利要求1所述的一種量子點白光LED的制備方法，其特征在于：藍光LED芯片的峰值波長為440～460nm。
6.一種量子點白光LED，其特征在于：是由權利要求1～5任何一項所述的方法制備得到。
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