[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711289177.8
• 申請(qǐng)日: 2017-12-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108987571B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃宏麟;陳承先;古進(jìn)譽(yù);黃冠智;黃偉立
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L49/02
• 分類號(hào): H01L49/02;H01L21/02
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括導(dǎo)電層、第一介電層、磁性層、及蝕刻終止堆疊。所述第一介電層設(shè)置在所述導(dǎo)電層之上。所述磁性層設(shè)置在所述第一介電層之上。所述蝕刻終止堆疊設(shè)置在所述磁性層與所述第一介電層之間。所述蝕刻終止堆疊包括第二介電層及位于所述第二介電層與所述磁性層之間的多個(gè)單元層，且所述多個(gè)單元層中的每一者包括鉭層及位于所述鉭層上的氧化鉭層。

[相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考]

本申請(qǐng)主張?jiān)?017年5月31日提出申請(qǐng)的序列號(hào)為62/512,735的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。上述專利申請(qǐng)全文并入本文供參考且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置及其形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置被用于例如個(gè)人計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、及其他電子裝備等各種電子應(yīng)用中。半導(dǎo)體裝置通常是通過(guò)以下方式來(lái)制作：在半導(dǎo)體襯底之上依序沉積絕緣層或介電層、導(dǎo)電層、以及半導(dǎo)體層；以及利用光刻對(duì)所述各種材料層進(jìn)行圖案化以在所述各種材料層上形成電路組件及元件。

一般來(lái)說(shuō)，電感器是可在由通過(guò)電感器的電流形成的磁場(chǎng)中存儲(chǔ)能量的無(wú)源電子組件。電感器可用于各種各樣的應(yīng)用。然而，存在許多與電感器相關(guān)的挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體裝置包括導(dǎo)電層、第一介電層、磁性層、以及蝕刻終止堆疊。所述第一介電層設(shè)置在所述導(dǎo)電層之上。所述磁性層設(shè)置在所述第一介電層之上。所述蝕刻終止堆疊設(shè)置在所述磁性層與所述第一介電層之間且包括多個(gè)鉭層及多個(gè)氧化鉭層。

本發(fā)明實(shí)施例的另一種半導(dǎo)體裝置包括導(dǎo)電層、第一介電層、磁性層、以及蝕刻終止堆疊。所述第一介電層設(shè)置在所述導(dǎo)電層之上。所述磁性層設(shè)置在所述第一介電層之上。所述蝕刻終止堆疊設(shè)置在所述磁性層與所述第一介電層之間。所述蝕刻終止堆疊包括第二介電層及位于所述第二介電層與所述磁性層之間的多個(gè)單元層，且所述多個(gè)單元層中的每一單元層包括鉭層及位于所述鉭層上的氧化鉭層。

本發(fā)明實(shí)施例的一種形成半導(dǎo)體裝置的方法包括至少以下步驟。在導(dǎo)電層之上形成第一介電層。在所述第一介電層之上形成蝕刻終止堆疊，且所述蝕刻終止堆疊包括多個(gè)鉭層及多個(gè)氧化鉭層。在所述蝕刻終止堆疊之上形成磁性層。在所述蝕刻終止堆疊覆蓋所述第一介電層及所述導(dǎo)電層的同時(shí)，移除所述磁性層的一部分。移除所述蝕刻終止堆疊的一部分。

附圖說(shuō)明

結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)說(shuō)明，會(huì)最好地理解本公開(kāi)內(nèi)容的各個(gè)方面。應(yīng)注意，根據(jù)本行業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)慣例，各種特征并非按比例繪制。事實(shí)上，為論述清晰起見(jiàn)，可任意增大或減小各種特征的臨界尺寸(critical dimension)。

圖1A是根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的示意性剖視圖，且圖1B是圖1A的所標(biāo)示部分B的放大圖。

圖2A至圖2H是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的示意性剖視圖。

圖3是示出根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)容提供用于實(shí)作所提供主題的不同特征的許多不同的實(shí)施例或?qū)嵗Ｒ韵玛U述組件及排列的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本公開(kāi)內(nèi)容。當(dāng)然，這些僅為實(shí)例且不旨在進(jìn)行限制。舉例來(lái)說(shuō)，以下說(shuō)明中將第二特征形成在第一特征“之上(over)”或第一特征“上(on)”可包括其中第二特征及第一特征被形成為直接接觸的實(shí)施例，且也可包括其中第二特征與第一特征之間可形成有附加特征、從而使得所述第二特征與所述第一特征可能不直接接觸的實(shí)施例。另外，本公開(kāi)內(nèi)容可能在各種實(shí)例中重復(fù)使用參考編號(hào)及/或字母。這種重復(fù)使用是出于簡(jiǎn)潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。