[發明專利]用于碳去除的增強帶電粒子束工藝

有效

• 申請號: 201711287659.X
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN108231519B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: C·魯;J·克里斯蒂安;K·瑪尼;N·T·弗蘭克
• 申請（專利權）人: FEI公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/44
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 黃琳娟

用于碳去除的增強帶電粒子束工藝的方法和系統。提供了用于增強碳去除的方法和系統，用于降低沉積物中碳雜質含量的相關方法和系統，以及在帶電粒子束工藝(并且特別是聚焦離子束方法)中使用前體氣體。在優選的實施方案中，前體氣體包含硝基乙酸甲酯。在替代的實施方案中，前體氣體是乙酸甲酯、乙酸乙酯、硝基乙酸乙酯、乙酸丙酯、硝基乙酸丙酯、硝基乙酸乙酯、甲氧基乙酸甲酯或甲氧基乙酰氯。

技術領域

本發明涉及帶電粒子束工藝的領域，具體地，涉及在這種工藝中使用前體氣體來增強碳去除的方法(包括降低沉積物中的碳雜質含量的方法)。

背景技術

帶電粒子束工藝，特別是聚焦離子束(FIB)方法，支持廣泛的科學和技術應用。參見：(1)L.A.Giannuzzi,F.A.Stevie,Introduction to Focused Ion Beams:Instrumentation,Theory,Techniques,and Practice(Springer,New York,2005)；和(2)J.Orloff,M.Utlaut,L.Swanson,High Resolution Focused Ion Beams:FIB and ItsApplications(Kluwer Academic/Plenum Publishers,New York,2003)。帶電粒子束工藝可以在各種系統中進行，包括FIB系統、電子束系統(諸如掃描電子顯微鏡(SEM)系統)或雙光束FIB/SEM系統。例如，參見(3)Young等人的專利號為8,059,918的美國專利(2011年11月15日公布)，“用于局部區域導航的高精確度射束放置(High accuracy beam placementfor local area navigation)”，美國專利號為8,358,832的繼續專利和美國專利號為8,781,219的部分繼續專利和專利號為9,087,366的美國專利，其各自通過引用以其全文并入本文。

可以引入氣相化學前體(前體氣體)，例如，通過氣體注入系統(GIS)引入以增強、抑制或以其它方式改變許多這些各種過程，例如樣品的蝕刻或銑削，或者沉積在介電膜的樣品上{例如，使用含有或不含有氧化劑(例如H₂O、O₂或N₂O)、含硅前體氣體，例如：2,4,6,8,10,12-六甲基環己硅氧烷(HMCHS)；2,4,6,8,10-五甲基環戊硅氧烷(PMCPS)；2,4,6,8-四甲基環四硅氧烷(TMCTS)；或四乙基正硅酸鹽(TEOS)}或金屬，例如鉬(Mo)、鎢(W)或鉑(Pt){例如，使用有機鉬、有機鎢或有機鉑沉積氣體，例如分別為：六羰基鉬[即，Mo(CO)₆]、六羰基鎢[即，W(CO)₆]或三甲基(甲基環戊二烯基)鉑(IV)[即，C₅H₄CH₃Pt(CH₃)₃或C₉H₁₆Pt]。還參見(4)Tao等人的專利號為5,104,684的美國專利(1992年4月14日公布)，“離子束誘導的金屬沉積(Ion beam induced deposition of metals)”，其全部內容通過引用并入本文，并且其公開了用于沉積金屬的其它前體氣體，另外包括用于Pt沉積：Pt(乙酰丙酮)₂(Pt(acetylacetonate)₂)；Pt(PF₃)₄；和Pt(CO)₂Cl₂。