[發明專利]用于鎖相環的電荷泵電路

有效

• 申請號: 201711286919.1
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN107896108B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 劉簾曦;高少璞;沐俊超;朱樟明;楊銀堂
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H03L7/089
• 分類號: H03L7/089;H03L7/107;H03L7/093
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種用于鎖相環的電荷泵電路，其特征在于，包括：

核心電路(101)，用于產生一組失配小于1％的充電和放電電流；

開關電路(102)，電連接所述核心電路(101)，用于控制所述核心電路(101)充電和放電；

所述核心電路(101)包括偏置電路、基準電壓電路(1011)、電流源電路(1012)以及電流沉電路(1013)；其中，所述偏置電路分別與所述電流源電路(1012)和所述電流沉電路(1013)電連接，所述電流源電路(1012)和所述電流沉電路(1013)分別與所述基準電壓電路(1011)和所述開關電路(102)電連接；

所述基準電壓電路(1011)包括：第一放大器(AMP1)、第一NMOS管(NM11)、第一電阻(R11)、第二電阻(R12)；其中，

所述第一電阻(R11)、所述第一NMOS管(NM11)以及所述第二電阻(R12)依次串接于電源端(VDD)和接地端(GND)之間；所述第一放大器(AMP1)的正向輸入端與參考電壓端(VREF)電連接；所述第一放大器(AMP1)反向輸入端電連接至所述第一NMOS管(NM11)和所述第二電阻(R12)串接形成的節點處；所述第一放大器(AMP1)的輸出端與所述第一NMOS管(NM11)的柵極電連接；

所述電流源電路包括：第二放大器(AMP2)、第一PMOS管(PM11)和第三電阻(R13)；其中，

所述第三電阻(R13)和所述第一PMOS管(PM11)串接于所述電源端(VDD)和所述第二放大器(AMP2)的輸出端之間；所述第二放大器(AMP2)的正向輸入端電連接至所述第一電阻(R11)和所述第一NMOS管(NM11)串接的節點處；所述第二放大器(AMP2)的反向輸入端電連接至所述第三電阻(R13)和所述第一PMOS管(PM11)串接的節點處；所述第二放大器(AMP2)的輸出端與所述第一PMOS管(PM11)的柵極電連接；

所述第二放大器(AMP2)包括：第一雙極晶體管(NPN41)、第二雙極晶體管(NPN42)、第二PMOS管(PM41)、第三PMOS管(PM42)、第四PMOS管(PM43)、第五PMOS管(PM44)、第六PMOS管(PM45)、第二NMOS管(NM41)、第三NMOS管(NM42)、第四NMOS管(NM43)、第五NMOS管(NM44)、第六NMOS管(NM45)、第七NMOS管(NM46)、第八NMOS管(NM47)、第九NMOS管(NM48)、第十NMOS管(NM49)、第十一NMOS管(NM410)、第四電阻(R41)、第五電阻(R42)和第六電阻(R43)；其中，

所述第四電阻(R41)的第一端與所述偏置電路電連接；所述第四電阻(R41)的第二端、所述第五電阻(R42)的第一端、所述第六NMOS管(NM45)的柵極、所述第七NMOS管(NM46)的柵極均與所述第二NMOS管(NM41)的柵極電連接；所述第三NMOS管(NM42)的柵極、所述第四NMOS管(NM43)的柵極和漏極、所述第五NMOS管(NM44)的柵極均與所述第五電阻(R42)的第二端電連接；所述第二NMOS管(NM41)的源極與所述第三NMOS管(NM42)的漏極電連接；所述第二NMOS管(NM41)的漏極、所述第五PMOS管(PM44)的柵極、所述第六PMOS管(PM45)的柵極均與所述第六電阻(R43)的第一端電連接；所述第二PMOS管(PM41)的柵極和漏極、所述第三PMOS管(PM42)的柵極、所述第四PMOS管(PM43)的柵極均與所述第六電阻(R43)的第二端電連接；所述第一雙極晶體管(NPN41)的發射極、所述第二雙極晶體管(NPN42)的發射極均與所述第五NMOS管(NM44)的漏極電連接；所述第一雙極晶體管(NPN41)的基極與所述基準電壓電路(1011)電連接；所述第三電阻(R13)的第一端、所述第一PMOS管(PM11)的源極均與第二雙極晶體管(NPN42)的基極電連接；所述第三PMOS管(PM42)的漏極、所述第五PMOS管(PM44)的源極均與所述第一雙極晶體管(NPN41)的集電極電連接；所述第四PMOS管(PM43)的漏極、所述第六PMOS管(PM45)的源極均與第二雙極晶體管(NPN42)的集電極電連接；所述第六NMOS管(NM45)的漏極、所述第八NMOS管(NM47)的柵極、所述第九NMOS管(NM48)的柵極、所述第十NMOS管(NM49)的柵極、所述第十一NMOS管(NM410)的柵極均與所述第五PMOS管(PM44)的漏極電連接；所述第七NMOS管(NM46)的漏極、所述第六PMOS管(PM45)的漏極均與所述第一PMOS管(PM11)的柵極電連接；所述第六NMOS管(NM45)的源極與所述第八NMOS管(NM47)的漏極電連接；所述第八NMOS管(NM47)的源極與所述第十NMOS管(NM49)的漏極電連接；所述第七NMOS管(NM46)的源極與所述第九NMOS管(NM48)的漏極電連接；所述第九NMOS管(NM48)的源極與所述第十一NMOS管(NM410)的漏極電連接；所述第二PMOS管(PM41)的源極、所述第三PMOS管(PM42)的源極、所述第四PMOS管(PM43)的源極、所述第三電阻(R13)的第二端均與電源端(VDD)電連接；所述第三NMOS管(NM42)的源極、所述第四NMOS管(NM43)的源極、所述第五NMOS管(NM44)的源極、所述第十NMOS管(NM49)的源極、所述第十一NMOS管(NM410)的源極均與接地端(GND)電連接；所述第一PMOS管(PM11)的漏極輸出充電電流ISOURCE。