[發明專利]一種OLED發光器件外提取膜的加工方法在審
| 申請號: | 201711286606.6 | 申請日: | 2017-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN107994135A | 公開(公告)日: | 2018-05-04 |
| 發明(設計)人: | 金凌;江創;劉紀文 | 申請(專利權)人: | 武漢華美晨曦光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京華仲龍騰專利代理事務所(普通合伙)11548 | 代理人: | 李靜 |
| 地址: | 430223 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 發光 器件 提取 加工 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光二極管(OLED)照明技術領域,尤其涉及到一種OLED發光器件外提取膜的加工方法。
背景技術
近來,有機發光二極管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)引起了科研界及產業界的廣泛關注。作為一種面光源,OLED具有可彎曲,環保,輕薄,低溫,低功耗以及護眼等優點。換言之,OLED照明的應用前景巨大,可望成為未來照明的主流。
傳統OLED器件的內量子效率已經可以接近100%,但外量子效率只有20%,這無疑在很大的程度上限制了OLED的實際應用。目前,微結構陣列結構作為一種重要的提升OLED器件外量子效率方法而受到了科研界廣泛的關注。通過調整材料種類、形狀、焦距及占空比等參數,該陣列不僅可以改變出光界面的折射率,同時也可以改變出光的角度,從而減少在界面發生全反射的概率,大大提升器件的整體外量子效率。目前,這種微結構陣列主要為三維光柵結構以及三維半球透鏡結構,其制備方法主要包括三維激光直寫,灰度刻蝕,離子束刻蝕,納米壓印,光刻膠回流法等,分別涉及了光學,機械、化學、材料、半導體以及微納加工等多個科學領域。這些制備方法大多制備成本較高且時間較長。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種OLED發光器件外提取膜的加工方法,以克服現有技術的不足。
為解決上述技術問題,本發明提供一種OLED發光器件外提取膜的加工方法,包括步驟:
將金屬網固定在ITO襯底背面,然后將ITO襯底固定于刮涂機的樣品臺上;
在襯底背面表面上刮涂一層樹脂,所述樹脂的厚度覆蓋金屬網,形成一層有機薄膜;
將金屬網與襯底分離,并將襯底背面向下放置晾干,直至樹脂完全固化。
在晾干過程中,由于樹脂自身的重力,從而得到具有表面三維微結構的光提取膜。當入射光入射到該薄膜表面時,由于有機溶劑的折射率與襯底幾乎一致,所以在襯底/提取膜界面基本不會發生全反射。在提取膜/空氣界面處,在提取膜表面三維陣列結構的作用下,光的入射角發生了變化,一方面減少了界面處的全反射,另一方面也可以調控光的出射光角度。簡言之,在這兩種現象的作用下,該提取膜減少了器件出光過程中的襯底模態,從而提升了OLED器件的外量子效率。
優選的,所述樹脂為聚甲基丙烯酸甲酯、環氧樹脂、聚酰亞胺、聚氨酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸二環戊酯或丙烯酸環己酯。
優選的,所述樹脂具有與襯底匹配的折射率。
選化的,所述樹脂在常溫下靜置4-6小時,以獲得均勻且無氣泡的樹脂。
選化的,所述襯底在放置金屬網之前,對襯底進行超聲清洗,以獲得干凈的襯底。
進一步優選的,所述金屬網為銅網。
優選的,所述襯底為玻璃、PET、TPU或雙面膠。
本發明的有益效果:本發明中,將刮涂技術與絲網印刷技術相結合,以刮涂技術與絲網印刷術相結合。其中,刮涂法可以在襯底上制備一層特定厚度的薄膜,而與絲網印刷結合后,可以使得刮涂的膜具有特定的形狀。并且通過材料的自身重力實現了具有表面三維陣列結構的提取膜的制備,在不影響發光器件結構的前提下,降低了器件的襯底模態從而提高了器件的外量子效率。相比現有技術,本發明的操作過程簡單、易于實現、成本低。
附圖說明
下面結合附圖和具體實施方式對本發明的技術方案作進一步具體說明。
圖1是本發明OLED照明器件示意圖。
圖2是本發明OLED照明器件的主視圖。
圖3是本發明中陣列薄膜出光示意圖。
圖4是本發明中具體制備過程示意圖,
其中,圖4(a)是襯底圖,圖4(b)是襯底上固定金屬網后的示意圖,圖4(c)是刮涂樹脂后的示意圖,圖4(d)是刮涂樹脂后襯底倒置的示意圖,圖4(e)是襯底倒置樹脂晾干固化后的示意圖,圖4(f)是附有提取膜的襯底示意圖。
標號分別為
100:陣列薄膜; 101:玻璃;
102:ITO;103:有機發光層;
104:金屬陰極; 201:OLED照明器件
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





