[發明專利]一種基于In合金的貴金屬納米顆粒及其制備方法

有效

• 申請號: 201711286235.1
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN108004506B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 毛遂;唐建國;黃林軍;王薇;王彥欣
• 申請（專利權）人: 青島大學
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/58
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220
• 代理人: 鄭立

1.一種基于In合金的貴金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，確定襯底材料并進行表面清潔處理，然后在真空條件下進行高溫除氣處理，所述高溫除氣處理的溫度為100～900℃；

步驟二，在真空環境中，采用物理氣相沉積在所述襯底上制備In/Pt、In/Au、In/Ag/Pt的雙層或三層金屬薄膜，所述物理氣相沉積過程中，金屬源采用相應的圓片狀金屬靶材，電離化電流為1～15mA，淀積速率為0.1～3nm/s；

步驟三，將所述雙層或三層金屬薄膜在10^-2Pa以下的真空狀態下加熱，控制溫度為300～900℃，所述雙層或三層金屬薄膜發生固態反浸潤反應，實現納米顆粒的固態自組裝結晶生長，充分反應后，在保護氣體或真空條件下將所述雙層或三層金屬薄膜冷卻至150℃以下取出，制備得到貴金屬納米顆粒。

2.如權利要求1所述的一種基于In合金的貴金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，步驟一中所述襯底材料為半導體或氧化物。

3.如權利要求1所述的一種基于In合金的貴金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，步驟一中所述襯底材料的表面粗糙度不高于±6nm。

4.如權利要求1所述的一種基于In合金的貴金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，步驟二中所述雙層或三層金屬薄膜的厚度為0.5nm～300nm。

5.如權利要求1所述的一種基于In合金的貴金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，步驟三中所述貴金屬納米顆粒中In質量百分比小于10％。

6.如權利要求1～5中任一項所述的基于In合金的貴金屬納米顆粒的制備方法制備得到的貴金屬納米顆粒，其特征在于，所述貴金屬納米顆粒的平均直徑為5nm～2μm，所述貴金屬納米顆粒的高度為2nm～200nm，所述貴金屬納米顆粒的密度為10⁷～10¹¹/cm²。