[發明專利]一種基于陽極氧化鋁模板法制備圖形化鈷納米線陣列的方法在審
| 申請號： | 201711285684.4 | 申請日： | 2017-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN108048882A | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發明（設計）人： | 鄒強;蘇奇 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | C25D1/00 | 分類號： | C25D1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 陽極 氧化鋁 模板 法制 圖形 納米 陣列 方法 | ||
1.一種基于陽極氧化鋁模板法制備圖形化鈷納米線陣列的方法，包括下列步驟：
(1)準備銅片和多孔陽極氧化鋁模板。
(2)工作電極的制備：將適量的武德合金加熱熔化后，在紫銅片上涂覆均勻，然后將多孔陽極氧化鋁模板覆于武德合金上表面；利用環氧樹脂膠涂覆紫銅片背面及側面，保證鈷離子只能在多孔陽極氧化鋁模板孔洞中沉積；取一根導線，一端連接紫銅片背面，另一端連接電極夾，制得工作電極；
(3)涂覆光刻膠：在多孔陽極氧化鋁模板上表面涂覆適量光刻膠，將所述工作電極置于勻膠機中，使其均勻涂覆光刻膠；
(4)曝光與顯影：利用紫外光透過掩膜版照射已經涂覆光刻膠的工作電極，照射過的光刻膠發生光化學反應，性質發生變化，被光刻版擋住的部分，未發生任何變化，通過顯影將圖形留在多孔陽極氧化鋁模板上；
(5)配制酸性電解液：電解液包括：CoSO
(6)多孔陽極氧化鋁模板的孔洞潤濕：將工作電極置于電解液中，使所述電解液中的鈷離子進入多孔陽極氧化鋁模板孔洞之中；
(7)鈷納米線及鈷基底的制備：將鉑片對電極和工作電極置于電解液中，兩電極連接至電源，通過監測沉積電流的變化情況得知鈷納米線的沉積情況，當鈷納米線已經溢出多孔陽極氧化鋁模板孔洞開始沉積時停止沉積；
(8)洗除光刻膠：利用丙酮洗除未曝光的光刻膠，之后用去離子水清洗工作電極；
(9)洗除陽極氧化鋁模板：利用200mL 0.2M/L氫氧化鈉溶液和200mL去離子水依次洗除陽極氧化鋁模板，即可得到圖形化的納米線陣列。
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