[發明專利]等離子體處理裝置和等離子體處理方法

有效

• 申請號: 201711285454.8
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN108172493B
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 阪根亮太;小林秀行;長畑壽;羅重佑
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/3065
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

處理容器；

設置于所述處理容器內的保持基片的載置臺；

能夠從與所述載置臺相對的位置供給第一氣體的第一氣體供給部；

將所述第一氣體等離子體化的高頻電源；

以包圍所述載置臺的周圍的方式設置的、遮擋被等離子體化了的所述第一氣體的遮擋部；

經由所述遮擋部將所述處理容器內排氣的排氣部；和

能夠對所述遮擋部與所述排氣部之間的空間供給可與所述第一氣體反應而生成反應生成物的第二氣體的第二氣體供給部。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

具有控制所述第一氣體供給部和所述第二氣體供給部的動作的控制部。

3.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一氣體供給部能夠供給第一吹掃氣體，

所述控制部控制所述第一氣體供給部和所述第二氣體供給部的動作，使得在對所述基片供給第二氣體時，從所述第一氣體供給部供給所述第一吹掃氣體，從所述第二氣體供給部供給所述第二氣體。

4.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述控制部控制從所述第一氣體供給部供給的所述第一吹掃氣體的流量和所述載置臺與所述第一氣體供給部之間的距離中的至少任意一者，使得從所述第一氣體供給部至所述第二氣體供給部之間的氣體的輸送中，相比于流動擴散起主要作用。

5.如權利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在設從所述基片的端部至所述第二氣體供給部的距離為L₁、與所述第一吹掃氣體的氣流垂直的空間截面積為S₁(x)、所述第一吹掃氣體的供給流量為Q₁、所述處理容器內的壓力為P₁、所述第二氣體相對于所述第一吹掃氣體的擴散系數為D₁時，所述控制部控制從所述第一氣體供給部供給的所述第一吹掃氣體的流量和與第一吹掃氣體的氣流垂直的空間截面積S₁(x)中的至少任意一者，使得按照以下的式(2)計算出的佩克萊數Pe₁比1小，

式(2)：

6.如權利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第二氣體供給部能夠供給第二吹掃氣體，

所述控制部控制所述第一氣體供給部和所述第二氣體供給部的動作，使得在對所述基片供給所述第一氣體時，從所述第一氣體供給部供給所述第一氣體，從所述第二氣體供給部供給所述第二吹掃氣體。

7.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述控制部控制從所述第一氣體供給部供給的所述第一氣體的流量和所述載置臺與所述第一氣體供給部之間的距離中的至少任意一者，使得從所述第一氣體供給部至所述第二氣體供給部之間的氣體的輸送中，相比于擴散流動起主要作用。

8.如權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

在設從所述基片的端部至所述第二氣體供給部的距離為L₂、與所述第一氣體的氣流垂直的空間截面積為S₂(x)、所述第一氣體的供給流量為Q₂、所述處理容器內的壓力為P₂、所述第二吹掃氣體相對于所述第一氣體的擴散系數為D₂時，所述控制部控制從所述第一氣體供給部供給的所述第一氣體流量和與第一氣體的氣流垂直的空間截面積S₂(x)中的至少任意一者，使得按照以下的式(3)計算出的佩克萊數Pe₂比1大，

式(3)：

9.如權利要求1至8中任一項所述的等離子體處理裝置，其特征在于：

所述第一氣體為處理氣體，所述第二氣體為前體氣體。