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[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法有效

專利信息
申請號: 201711284818.0 申請日: 2017-12-07
公開(公告)號: CN108172597B 公開(公告)日: 2023-09-12
發明(設計)人: 李世鎬;金泰亨;宋濟鉉 申請(專利權)人: 三星顯示有限公司
主分類號: H10K50/814 分類號: H10K50/814;H10K59/12;H10K71/00
代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 代理人: 尹淑梅;薛義丹
地址: 韓國京畿*** 國省代碼: 暫無信息
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 有機 發光二極管 顯示器 及其 制造 方法
【權利要求書】:

1.一種有機發光二極管顯示器,所述有機發光二極管顯示器包括:

基底;

像素,形成在所述基底上,并且包括顯示圖像的顯示區域和與所述顯示區域相鄰的外圍區域;

絕緣層,在所述基底上位于所述顯示區域和所述外圍區域處;

第一電極,在所述絕緣層上位于所述顯示區域處;

有機發射層,位于所述第一電極上,并且延伸到所述外圍區域;

第二電極,位于所述有機發射層上,并且設置在所述顯示區域和所述外圍區域中;

輔助電極,在所述基底上位于所述外圍區域中,并且被形成在所述絕緣層中的第一開口部分地暴露;以及

輔助構件,位于所述輔助電極上,并且與所述輔助電極的被所述第一開口暴露的上表面接觸,

其中,所述有機發射層從所述顯示區域連續地延伸到所述第一開口中以在所述第一開口中接觸所述輔助構件的上表面,

所述有機發射層具有第二開口,所述第二開口暴露所述輔助構件的所述上表面的一部分,并且

所述第二電極通過所述第二開口接觸所述輔助構件。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,

所述輔助構件與所述輔助電極的所述上表面完全接觸。

3.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,

所述第二開口具有圓形形狀。

4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,

所述輔助構件覆蓋所述絕緣層的所述第一開口。

5.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,

所述輔助構件與所述第一開口的內周的一部分接觸。

6.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,

所述輔助構件與所述第一電極由同一層形成。

7.根據權利要求6所述的有機發光二極管顯示器,其中,

所述輔助構件通過順序地堆疊銦錫氧化物、銀和銦錫氧化物而形成。

8.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,

所述輔助電極是傳輸共電壓的共電壓線。

9.根據權利要求8所述的有機發光二極管顯示器,其中,

所述輔助電極通過順序地堆疊鉬、鋁和鉬而形成。

10.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器,其中,

所述像素包括至少一個子像素,所述至少一個子像素包括所述顯示區域和所述外圍區域,并且

所述至少一個子像素是紅色子像素。

11.一種用于制造有機發光二極管顯示器的方法,所述方法包括:

準備基底,所述基底上形成有像素,所述像素包括顯示圖像的顯示區域和與所述顯示區域相鄰的外圍區域;

在所述基底上形成薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括半導體層、位于所述半導體層上的柵電極以及連接到所述半導體層的源電極和漏電極;

在所述外圍區域上形成供應共電壓的輔助電極;

在所述薄膜晶體管和所述輔助電極上形成絕緣層,所述絕緣層暴露所述漏電極的一部分和所述輔助電極的一部分;

在所述絕緣層上形成第一電極,所述第一電極與所述漏電極接觸;

形成輔助構件,所述輔助構件通過形成在所述絕緣層中的第一開口與所述輔助電極接觸;

在所述第一電極和所述輔助構件上形成有機發射層,所述有機發射層從所述顯示區域連續地延伸到所述第一開口中以在所述第一開口中接觸所述輔助構件的上表面;

使用激光去除所述有機發射層的一部分以形成暴露所述輔助構件的所述上表面的一部分的第二開口;以及

在所述有機發射層上形成第二電極,所述第二電極通過所述第二開口接觸所述輔助構件。

12.根據權利要求11所述的方法,其中,

所述第二開口具有圓形形狀。

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