[發(fā)明專利]一種FLASH均衡擦寫方法及系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711284661.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108255740A | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 文明;劉俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市中易通安全芯科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F12/02 | 分類號(hào): | G06F12/02;G06F3/06 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明;洪銘福 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 物理塊 擦寫 均衡 空閑 內(nèi)存緩存區(qū) 物理地址 映射表 映射 輪詢 寫入 存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域 查找 存儲(chǔ)邏輯 更新管理 邏輯地址 使用壽命 數(shù)據(jù)緩存 管理表 更新 保證 | ||
本發(fā)明公開了一種FLASH均衡擦寫方法,包括步驟:S1,獲取當(dāng)前邏輯地址映射的當(dāng)前物理塊,所述物理塊對(duì)應(yīng)有物理塊編號(hào)及物理地址;S2,輪詢查找空閑物理塊作為目的物理塊;S3,將當(dāng)前物理塊的數(shù)據(jù)緩存并更新到內(nèi)存緩存區(qū),將更新后的內(nèi)存緩存區(qū)數(shù)據(jù)寫入到目的物理塊中;S4,更新管理表狀態(tài),所述管理表用于存放映射表,利用映射表存儲(chǔ)邏輯地址所映射的物理塊編號(hào)及物理地址。本發(fā)明還公開了一種FLASH均衡擦寫系統(tǒng)。本發(fā)明涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域,一種FLASH均衡擦寫方法及系統(tǒng),通過對(duì)FLASH空閑物理塊進(jìn)行輪詢查找,再將數(shù)據(jù)寫入空閑物理塊,保證FLASH中物理塊的均衡使用,延長(zhǎng)FLASH的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種FLASH均衡擦寫方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)
隨著集成電路的不斷發(fā)展,加上多芯片封裝技術(shù)的出現(xiàn),芯片功能越來越多樣化。目前,現(xiàn)有的各類芯片產(chǎn)品中多數(shù)采用非易失性的FLASH芯片(快閃存儲(chǔ)器)作為存儲(chǔ)介質(zhì),如固態(tài)硬盤、安全芯片、智能IC卡等。隨著FLASH的普及以及價(jià)格的不斷下降,更多的業(yè)務(wù)場(chǎng)景中需要用到FLASH存儲(chǔ)介質(zhì),由于存儲(chǔ)介質(zhì)工作在一個(gè)高頻率的讀寫狀態(tài),需對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行多次讀寫操作,有時(shí)候可能對(duì)某一頁(yè)進(jìn)行反復(fù)擦寫,一般FLASH存儲(chǔ)介質(zhì)的擦寫次數(shù)都是在十萬次左右,F(xiàn)LASH的壽命是有限的,在現(xiàn)有技術(shù)中,由于算法過于復(fù)雜,數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)多,占用較多系統(tǒng)資源,對(duì)設(shè)備整體性能產(chǎn)生影響,同時(shí),在寫數(shù)據(jù)進(jìn)FLASH時(shí),可能發(fā)生數(shù)據(jù)寫入異常、物理存儲(chǔ)塊的損壞、設(shè)備進(jìn)行異常(如異常斷電)等情況導(dǎo)致的數(shù)據(jù)破壞或丟失。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的目的是提供一種FLASH均衡擦寫方法,實(shí)現(xiàn)FLASH存儲(chǔ)的擦寫均衡,延長(zhǎng)FLASH的使用壽命。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的目的是提供一種FLASH均衡擦寫系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)FLASH存儲(chǔ)的擦寫均衡,延長(zhǎng)FLASH的使用壽命。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種FLASH均衡擦寫方法,包括步驟:
S1,獲取當(dāng)前邏輯地址映射的當(dāng)前物理塊,所述物理塊對(duì)應(yīng)有物理塊編號(hào)及物理地址;
S2,輪詢查找空閑物理塊作為目的物理塊;
S3,將當(dāng)前物理塊的數(shù)據(jù)緩存并更新到內(nèi)存緩存區(qū),將更新后的內(nèi)存緩存區(qū)數(shù)據(jù)寫入到目的物理塊中;
S4,更新管理表狀態(tài),所述管理表用于存放映射表,利用映射表存儲(chǔ)邏輯地址所映射的物理塊編號(hào)及物理地址。
作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟S1具體為:根據(jù)用戶輸入的當(dāng)前邏輯地址從映射表中得到當(dāng)前邏輯地址映射的當(dāng)前物理塊,所述物理塊對(duì)應(yīng)有物理塊編號(hào)及物理地址,利用當(dāng)前物理塊編號(hào)計(jì)算出當(dāng)前物理地址。
作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟S2具體為:通過最后使用塊對(duì)應(yīng)物理塊編號(hào)下一位開始并通過空閑物理塊搜索算法在位圖表中輪詢查找空閑物理塊作為目的物理塊,利用目的物理塊對(duì)應(yīng)的目的物理塊編號(hào)計(jì)算出目的物理塊的物理地址,所述位圖表用于存儲(chǔ)物理塊的狀態(tài)。
作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟S3包括子步驟:
S31,從當(dāng)前物理地址讀取當(dāng)前物理塊數(shù)據(jù),將當(dāng)前物理塊數(shù)據(jù)緩存到內(nèi)存緩存區(qū),并在內(nèi)存緩存區(qū)中更新寫入的數(shù)據(jù);
S32,校驗(yàn)內(nèi)存緩存區(qū)的當(dāng)前緩存數(shù)據(jù),對(duì)緩存更新后的數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC32運(yùn)算,得到第一運(yùn)算值value1并記錄;
S33,獲取最后使用塊編號(hào),從最后使用塊編號(hào)下一位通過空閑物理塊搜索算法開始在位圖表中輪詢查找目的物理塊并計(jì)算目的物理塊地址,將緩存更新后的數(shù)據(jù)寫入目的物理塊物理地址;
S34,讀取目的物理地址讀取目的物理塊數(shù)據(jù),將目的物理塊數(shù)據(jù)緩存到內(nèi)存緩存區(qū)中,校驗(yàn)內(nèi)存緩存區(qū)的目的緩存數(shù)據(jù),對(duì)緩存數(shù)據(jù)進(jìn)行CRC32運(yùn)算,得到第二運(yùn)算值value2并記錄;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于深圳市中易通安全芯科技有限公司,未經(jīng)深圳市中易通安全芯科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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