[發明專利]成膜裝置和成膜方法

有效

• 申請號: 201711284172.6
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN108165954B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 鈴木步太;山本康介;松崎和愛;加賀谷宗仁;守屋剛;光成正;久保敦史
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種成膜方法，使用成膜裝置，在真空氣氛中將供給原料氣體和與原料氣體反應的反應氣體來形成單分子層的循環反復進行多次，在基片形成規定膜厚的薄膜，所述成膜方法的特征在于：

所述成膜裝置包括：

在內部配置有用于載置基片的載置部的、用于形成真空氣氛的處理容器；

氣體排出部，其具有以與所述載置部相對的方式形成有多個氣體排出孔的噴淋板，并且形成有將所述多個氣體排出孔的排列區域在基片的徑向上同心圓狀地劃分成多個而得的、能夠彼此獨立地排出氣體的多個劃分區域；

向所述氣體排出部供給原料氣體的原料氣體供給部；

向所述氣體排出部供給反應氣體的反應氣體供給部；和

用于使所述反應氣體等離子體化的等離子體生成機構，

在所述成膜方法中，

在所述循環中所分配的原料氣體的供給時間段中的原料氣體的每單位時間且噴淋板的每單位面積的供給量和在所述循環中所分配的原料氣體與反應氣體的反應時間段中的反應氣體的每單位時間且噴淋板的每單位面積的供給量中的至少一者，在多個劃分區域中的至少2個劃分區域之間彼此不同，

從所述氣體排出部交替地排出原料氣體和反應氣體，在排出所述反應氣體時利用所述等離子體發生機構使反應氣體等離子體化，

在基片形成目標膜厚的所述薄膜的步驟包括第一步驟和第二步驟，

在第一步驟與第二步驟間執行下述處理中的至少一者：

對于原料氣體的供給時間段中的所述多個劃分區域之間的原料氣體，改變每單位時間且噴淋板的每單位面積的供給量的比率；對于原料氣體與反應氣體的反應時間段中的所述多個劃分區域之間的反應氣體，改變每單位時間且噴淋板的每單位面積的供給量的比率。

2.一種成膜方法，使用成膜裝置，在真空氣氛中將供給原料氣體和與原料氣體反應的反應氣體來形成單分子層的循環反復進行多次，在基片形成規定膜厚的薄膜，所述成膜方法的特征在于：

所述成膜裝置包括：

在內部配置有用于載置基片的載置部的、用于形成真空氣氛的處理容器；

氣體排出部，其具有以與所述載置部相對的方式形成有多個氣體排出孔的噴淋板，并且形成有將所述多個氣體排出孔的排列區域在基片的徑向上同心圓狀地劃分成多個而得的、能夠彼此獨立地排出氣體的多個劃分區域；

向所述氣體排出部供給原料氣體的原料氣體供給部；

向所述氣體排出部供給反應氣體的反應氣體供給部；和

用于使所述反應氣體等離子體化的等離子體生成機構，

在所述成膜方法中，

在所述循環中所分配的原料氣體的供給時間段中的原料氣體的每單位時間且噴淋板的每單位面積的供給量和在所述循環中所分配的原料氣體與反應氣體的反應時間段中的反應氣體的每單位時間且噴淋板的每單位面積的供給量中的至少一者，在多個劃分區域中的至少2個劃分區域之間彼此不同，

在進行所述形成單分子層的循環的期間中從所述氣體排出部排出反應氣體，

在所述循環中所分配的原料氣體的供給時間段中的原料氣體的每單位時間且噴淋板的每單位面積的供給量在多個劃分區域中的至少2個劃分區域之間彼此不同，

在基片形成目標膜厚的所述薄膜的步驟包括第一步驟和第二步驟，在第一步驟與第二步驟間，對于原料氣體的供給時間段中的所述多個劃分區域之間的原料氣體，改變每單位時間且噴淋板的每單位面積的供給量的比率。