[發明專利]保護膜、復合材料及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 201711283753.8
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN108043680A
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 易偉華;張迅;周慧蓉;鄭芳平
• 申請（專利權）人: 江西沃格光電股份有限公司
• 主分類號: B05D1/36
• 分類號: B05D1/36;B05D1/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟

1.一種保護膜，其特征在于，包括依次層疊的第一五氧化二鈮層、第一二氧化硅層、第二五氧化二鈮層、第二二氧化硅層及功能層，所述功能層含有聚四氟乙烯和CrN；

所述第一五氧化二鈮層厚度為18nm～28nm，所述第一二氧化硅層厚度為16nm～26nm、所述第二五氧化二鈮層厚度為50nm～60nm、所述第二二氧化硅層厚度為89nm～99nm，所述功能層厚度為10nm～20nm。所述功能層的聚四氟乙烯與CrN的摩爾比為1:0.5～1:3。

2.根據權利要求1所述的保護膜，其特征在于，所述第一五氧化二鈮層厚度為20nm～26nm，所述第一二氧化硅層厚度為18nm～24nm、所述第二五氧化二鈮層厚度為52nm～58nm、所述第二二氧化硅層厚度為91nm～97nm，所述功能層厚度為12nm～18nm，所述功能層的聚四氟乙烯與CrN的摩爾比為1:1～1:2。

3.根據權利要求1所述的保護膜，其特征在于，所述第一五氧化二鈮層厚度為22nm～24nm，所述第一二氧化硅層厚度為20nm～22nm、所述第二五氧化二鈮層厚度為54nm～56nm、所述第二二氧化硅層厚度為93nm～95nm，所述功能層厚度為14nm～16nm，所述功能層的聚四氟乙烯與CrN的摩爾比為1:1.5。

4.一種復合材料，其特征在于，包括基底及層疊于所述基底表面的權利要求1～3任一項所述的保護膜。

5.根據權利要求4所述的復合材料，其特征在于，所述基底具有第一表面及與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面及所述第二表面均層疊有所述保護膜。

6.根據權利要求4所述的復合材料，其特征在于，所述基底的厚度為0.2mm～10mm。

7.權利要求4所述的復合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在所述基底表面依次制備所述第一五氧化二鈮層、所述第一二氧化硅層、所述第二五氧化二鈮層、所述第二二氧化硅層及所述功能層。

8.根據權利要求7所述的復合材料的制備方法，其特征在于，所述第一五氧化二鈮層、所述第一二氧化硅層、所述第二五氧化二鈮層、所述第二二氧化硅層及所述功能層采用磁控濺鍍膜設備制備，所述磁控濺射鍍膜設備包括第一鍍膜室及第二鍍膜室，所述第一鍍膜室與所述第二鍍膜室連接且所述第一鍍膜室與所述第二鍍膜室之間設置有隔離門閥，所述第一五氧化二鈮層、所述第一二氧化硅層、所述第二五氧化二鈮層及所述第二二氧化硅層在所述第一鍍膜室制備，所述功能層在所述第二鍍膜室制備。

9.根據權利要求8所述的復合材料的制備方法，其特征在于，所述第二鍍膜室設有間歇性氣體控制閥，當所述隔離門閥關閉后，通過所述間歇性氣體控制閥通入氮氣，在所述第二鍍膜室制備功能層。

10.權利要求1～3任一項所述的保護膜在電子裝置及汽車中的應用。