[發(fā)明專利]集成電路器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711283666.2
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN108172571B
• 公開（公告）日: 2023-01-10
• 發(fā)明（設計）人: K.蘇巴什;R.西德哈思;D.夏爾馬;樸哲弘;梁在錫
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

一種集成電路(IC)器件包括至少一個標準單元。該至少一個標準單元包括：第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，分別設置在虛設區(qū)域的兩側(cè)的每個上，第一有源區(qū)和第二有源區(qū)具有不同的導電類型并在第一方向上延伸；第一柵線和第二柵線，在垂直于第一方向的第二方向上平行于彼此延伸跨過第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；第一旁路互連結(jié)構(gòu)，配置為電連接第一柵線與第二柵線；以及第二旁路互連結(jié)構(gòu)，配置為電連接第二柵線與第一柵線。第一旁路互連結(jié)構(gòu)和第二旁路互連結(jié)構(gòu)包括在第一方向上延伸的下互連層、在第二方向上延伸的上互連層以及接觸通路。

技術(shù)領(lǐng)域

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示范性實施方式的裝置和方法涉及集成電路(IC)器件，更具體地，涉及包括至少一個標準單元的IC器件。

背景技術(shù)

由于電子產(chǎn)品趨向于重量輕、薄且小，對于高度集成的半導體器件的需求正在增長。隨著半導體器件的最近的等比例縮小，包括在IC器件中的標準單元的高度已經(jīng)減小。在包括交叉耦合結(jié)構(gòu)的IC器件中，會要求能夠除去工藝風險圖案而沒有違反設計原則的布局以實現(xiàn)具有減小的高度的標準單元。

發(fā)明內(nèi)容

示范性實施方式提供包括設計為具有減小的尺寸的至少一個標準單元的集成電路(IC)器件。

示范性實施方式還提供包括設計為除去工藝風險圖案(或在光刻圖案化工藝期間具有改變其形狀的風險的圖案，諸如對角形的圖案或異常形狀的圖案)的至少一個標準單元的IC器件。

根據(jù)示范性實施方式的方面，提供一種包括至少一個標準單元的IC器件。至少一個標準單元可以包括：分別設置在虛設區(qū)域的兩側(cè)的每個上的第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，第一有源區(qū)和第二有源區(qū)具有不同的導電類型并在第一方向上延伸；第一柵線和第二柵線，在垂直于第一方向的第二方向上跨過第一有源區(qū)和第二有源區(qū)平行于彼此延伸，其中第一柵線包括第一柵線的第一部分和第一柵線的第二部分，并且其中第二柵線包括第二柵線的第一部分和第二柵線的第二部分；第一旁路互連結(jié)構(gòu)，配置為電連接第一柵線的在第一有源區(qū)上的第一部分與第二柵線的在第二有源區(qū)上的第二部分；以及第二旁路互連結(jié)構(gòu)，配置為電連接第二柵線的在第一有源區(qū)上的第一部分與第一柵線的在第二有源區(qū)上的第二部分。第一和第二旁路互連結(jié)構(gòu)包括在第一方向上延伸的下互連層、在第二方向上延伸的上互連層以及在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中的至少一個上以連接下互連層與上互連層的接觸通路。

根據(jù)示范性實施方式的一方面，提供一種IC器件，該IC器件可以包括：第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，分別設置在虛設區(qū)域的兩側(cè)的每個上，第一有源區(qū)和第二有源區(qū)具有不同的導電類型并在第一方向上延伸；第一下柵線和第二下柵線，在第一有源區(qū)上在垂直于第一方向的第二方向上平行于彼此延伸；第一上柵線和第二上柵線，在第二有源區(qū)上在第二方向上延伸并平行于彼此布置，第一上柵線和第二上柵線分別與第一下柵線和第二下柵線間隔開設置；第一旁路互連結(jié)構(gòu)，配置為電連接第一下柵線與第二上柵線；以及第二旁路互連結(jié)構(gòu)，配置為電連接第二下柵線與第一上柵線。第一和第二旁路互連結(jié)構(gòu)包括具有在第一方向上延伸的單向結(jié)構(gòu)的下互連層、具有在第二方向上延伸的單向結(jié)構(gòu)的上互連層以及在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中的至少一個上以連接下互連層與上互連層的接觸通路。