[發明專利]一種SiC泡沫及其制備方法

在審

• 申請號: 201711283318.5
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN108101542A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 李斌斌;袁小森;廖家豪;陳照峰;毛幫笑;黃海泉
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: C04B35/565
• 分類號: C04B35/565;C04B38/06;C04B35/80
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237
• 代理人: 賀翔

1.一種SiC泡沫，其特征在于，所述SiC泡沫由SiC納米線與SiC微粉組成；所述SiC納米線通過原位生長將SiC微粉包裹，串聯在一起，形成多孔的SiC泡沫；所述SiC納米線的平均直徑為30-100 nm，平均長度為1-10mm；所述SiC微粉的平均粒徑為40 nm。

2.一種SiC泡沫的制備方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

（1）將活性炭灰分處理后備用；

（2）將步驟（1）中活性炭與聚碳硅烷、SiC微粉以質量比5 : (2-4) : (2-4) 混合，研磨成均勻粉末；將所得粉末以比例5 g: (5-10) mL溶解于溶劑中，震蕩攪拌制備成均勻漿料；將漿料放置于模具中烘干備用；

（3）將步驟（2）中烘干的漿料及模具放置于管式爐中，在惰性氣體保護下以4-5 ℃/min的速率升溫至1400-1500 ℃，保溫3-4 h，隨爐冷卻至500-600 ℃保溫；

（4）向步驟（3）管式爐中通入氧氣，氧化去除活性炭，隨爐冷卻至室溫得到SiC泡沫。

3.根據權利要求2所述一種SiC泡沫的制備方法，其特征在于，步驟（1）活性炭灰分處理方法為：將活性炭通過蒸餾水煮沸2-3 h；取出放入1%HF中循環酸洗5-7 h；取出后在蒸餾水中煮沸2-4 h，80-100 ℃烘干。

4.根據權利要求2或3所述一種SiC泡沫的制備方法，其特征在于，步驟（2）中溶劑選自正庚烷，正己烷或石油醚。

5.根據權利要求2或3所述一種SiC泡沫的制備方法，其特征在于，步驟（2）2中漿料磨具可以是方形、球形、長方形或菱形。

6.根據權利要求2或3所述一種SiC泡沫的制備方法，其特征在于，步驟（2）中漿料烘干溫度為80-100 ℃。

7.根據權利要求2所述一種SiC泡沫的制備方法，其特征在于，步驟（3）中惰性氣體可以是氮氣或氬氣。

8.根據權利要求2或3所述一種SiC泡沫的制備方法，其特征在于，步驟（4）中氧化時間為0.1-1 h，通入氧氣速度為30 sccm。