[發明專利]MOSFET數字量輸出電路

有效

• 申請號: 201711282985.1
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN107863957B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 鄭光磊;隋德磊;王鴻雪;張云鵬;李楠
• 申請（專利權）人: 中車大連電力牽引研發中心有限公司
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003;H03K19/0185;H03K19/0944
• 代理公司: 11205 北京同立鈞成知識產權代理有限公司
• 代理人: 劉丹;黃健

1.一種MOSFET數字量輸出電路，其特征在于，包括：金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET和監測電路；

所述MOSFET分別與主控制器和負載連接，所述MOSFET用于根據所述主控制器輸出的數字量輸出信號控制所述負載的通斷；

所述監測電路分別與所述MOSFET和所述主控制器連接，所述監測電路用于監測所述MOSFET的通斷信號，并根據所述MOSFET的通斷信號向所述主控制器反饋數字量輸出狀態反饋信號；

所述MOSFET數字量輸出電路還包括：第一光耦隔離電路，所述第一光耦隔離電路的輸入端與所述監測電路連接，所述第一光耦隔離電路的輸出端與所述主控制器連接；

所述監測電路包括：第一電容、第一電阻和第二電阻，所述第一電容的一端分別與所述第一光耦隔離電路的正輸入端和所述第一電阻的一端連接，所述第一電阻的另一端分別與所述第一光耦隔離電路的負輸入端和所述MOSFET的漏極連接；所述第二電阻的一端連接所述第一電容的另一端，所述第二電阻的另一端與所述MOSFET的源極連接；所述第一光耦隔離電路的正輸出端連接所述主控制器，所述第一光耦隔離電路的負輸出端接地。

2.根據權利要求1所述的MOSFET數字量輸出電路，其特征在于，還包括：第二光耦隔離電路，所述第二光耦隔離電路的輸入端與所述主控制器連接，所述第二光耦隔離電路的輸出端與所述MOSFET連接。

3.根據權利要求2所述的MOSFET數字量輸出電路，其特征在于，還包括：驅動電路，所述驅動電路的輸入端與所述第二光耦隔離電路的輸出端連接，所述驅動電路的輸出端與所述MOSFET連接。

4.根據權利要求2所述的MOSFET數字量輸出電路，其特征在于，所述第一光耦隔離電路和所述第二光耦隔離電路集成在一個雙向輸入光耦中。

5.根據權利要求1所述的MOSFET數字量輸出電路，其特征在于，所述監測電路還包括第一雙向觸發二極管，所述第二電阻通過所述第一雙向觸發二極管與所述MOSFET的源極連接。

6.根據權利要求3所述的MOSFET數字量輸出電路，其特征在于，所述驅動電路包括：第三電阻和第四電阻，所述第三電阻的一端與所述第二光耦隔離電路連接，所述第三電阻的另一端分別與所述第四電阻的一端和所述IGBT的柵極連接，所述第四電阻的另一端與所述MOSFET的漏極連接。

7.根據權利要求6所述的MOSFET數字量輸出電路，其特征在于，所述第四電阻的兩端并聯有第二雙向觸發二極管和第二電容。

8.根據權利要求6或7所述的MOSFET數字量輸出電路，其特征在于，所述MOSFET為N溝道MOSFET，所述MOSFET的源極連接電源負極，所述MOSFET的漏極與所述負載的一端連接，所述負載的另一端連接電源正極；所述第二光耦隔離電路的正輸出端連接電源正極，所述第二光耦隔離電路的負輸出端連接所述第三電阻，所述第二光耦隔離電路的正輸入端連接所述主控制器，所述第二光耦隔離電路的負輸入端接地。