[發明專利]具有天線組件的半導體結構及其制備方法在審
| 申請號: | 201711282003.9 | 申請日: | 2017-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN107910320A | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發明(設計)人: | 陳彥亨;吳政達;林章申;林正忠 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/66 | 分類號: | H01L23/66;H01L23/485;H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙)31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 天線 組件 半導體 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有天線組件的半導體結構,其特征在于,所述具有天線組件的半導體結構包括:
天線基板,所述天線基板包括相對的第一表面及第二表面;
天線組件,位于所述天線基板的第一表面上;
重新布線層,位于所述天線基板的第二表面上。
2.根據權利要求1所述的具有天線組件的半導體結構,其特征在于,所述天線基板包括:玻璃基板、硅基板、Roger 5880基板、高分子材料基板或復合材料基板。
3.根據權利要求1所述的具有天線組件的半導體結構,其特征在于,所述天線組件包括至少一個天線單元,所述天線單元為塊狀天線或螺旋狀天線。
4.根據權利要求3所述的具有天線組件的半導體結構,其特征在于,所述天線組件包括多個所述天線單元,多個所述天線單元在所述天線基板的第一表面上呈單層分布。
5.根據權利要求3所述的具有天線組件的半導體結構,其特征在于,所述天線組件包括多個所述天線單元,多個所述天線單元在所述天線基板的第一表面上呈上下間隔疊置的若干層分布,且相鄰兩層所述天線單元之間相連接。
6.根據權利要求3所述的具有天線組件的半導體結構,其特征在于,所述天線組件還包括介質層,所述介質層至少位于相鄰兩層所述天線單元之間。
7.根據權利要求4至6中任一項所述的具有天線組件的半導體結構,其特征在于,各層所述天線單元均包括多個所述天線單元,各層所述天線單元中的多個所述天線單元沿平行于所述天線基板第一表面的方向呈陣列分布、環形分布或無規則間隔排布。
8.根據權利要求1所述的具有天線組件的半導體結構,其特征在于,所述重新布線層包括:
絕緣層,位于所述天線基板的第二表面;
至少一層金屬線層,位于所述絕緣層內;
凸塊下金屬層,位于所述絕緣層遠離所述天線基板的表面,且與所述金屬線層電連接。
9.一種具有天線組件的半導體結構的制備方法,其特征在于,所述具有天線組件的半導體結構的制備方法包括如下步驟:
1)提供一天線基板,所述天線基板包括相對的第一表面及第二表面;
2)于所述天線基板的第一表面形成天線組件;
3)于所述天線基板的第二表面形成重新布線層。
10.根據權利要求9所述的具有天線組件的半導體結構的制備方法,其特征在于,步驟1)中提供給的所述天線基板包括:玻璃基板、硅基板、Roger 5880基板、高分子材料基板或復合材料基板。
11.根據權利要求9所述的具有天線組件的半導體結構的制備方法,其特征在于,步驟2)中,于所述天線基板的第一表面形成所述天線組件的具體方法為:于所述天線基板的第一表面形成一層包括若干個天線單元作為所述天線組件,其中,若干個所述天線單元沿平行于所述天線基板第一表面的方向呈陣列分布、環形分布或無規則間隔排布,所述天線單元為塊狀天線或螺旋狀天線。
12.根據權利要求9所述的具有天線組件的半導體結構的制備方法,其特征在于,步驟2)中,于所述天線基板的第一表面形成所述天線組件包括如下步驟:
2-1)于所述天線基板的第一表面形成一層包括若干個天線單元的天線,該層天線中若干個所述天線單元沿平行于所述天線基板第一表面的方向呈陣列分布、環形分布或無規則間隔排布,所述天線單元為塊狀天線或螺旋狀天線;
2-2)于所述天線基板的第一表面形成介質層,所述介質層完全覆蓋所述天線單元;
2-3)于所述介質層內形成導電栓塞,所述導電栓塞與所述天線單元電連接;
2-4)于所述介質層的表面再次形成一層包括若干個所述天線單元的天線,該層天線中若干個所述天線單元沿平行于所述天線基板第一表面的方向呈陣列分布、環形分布或無規則間隔排布。
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