[發明專利]成膜裝置

有效

• 申請號: 201711281075.1
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN108220882B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 伊藤昭彥;加茂克尚;松中繁樹;藤田篤史
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子裝置株式會社
• 主分類號: C23C14/16
• 分類號: C23C14/16;C23C14/34;H05K9/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

本發明提供一種可以簡單的構成抑制電子零件的加熱的成膜裝置。本發明包括：搬送部，在腔室內循環搬送電子零件；成膜處理部，成膜于電子零件；托盤，由搬送部搬送，具有載置面；及載置部，載置于載置面，用來搭載電子零件，載置部包括：保持片，一面具備具有粘著性的粘著面，另一面具備不具有粘著性的非粘著面；及密接片，一面具備密接于非粘著面的具有粘著性的第1密接面，另一面具備密接于托盤的載置面的具有粘著性的第2密接面，粘著面具有用來貼附電子零件的貼附區域，第1密接面至少跨及與貼附區域對應的非粘著面的區域的整體而密接。

技術領域

本發明是涉及一種成膜裝置。

背景技術

以移動電話為代表的無線通信設備中，搭載有許多作為電子零件的半導體裝置。為了防止對通信特性的影響，半導體裝置謀求抑制電磁波向外部的泄露等電磁波對內外的影響。因此，一直使用具有對電磁波的屏蔽功能的半導體裝置。

一般而言，半導體基板是通過在作為用于對安裝基板進行中轉的基板的中介層(interposer)基板上搭載半導體芯片，并利用樹脂將所述半導體芯片密封而形成。開發有一種通過在所述密封樹脂的上表面及側面設置導電性的電磁波屏蔽膜而賦予屏蔽功能的半導體裝置(參照專利文獻1)。

此種電磁波屏蔽膜可設為多種金屬材料的層疊膜。例如，已知有在形成有不銹鋼(SUS)膜的基礎上形成Cu膜，進而在其上形成SUS膜的層疊結構的電磁波屏蔽膜。

關于電磁波屏蔽膜，為了獲得充分的屏蔽效果，需要降低電阻率。因此，對電磁波屏蔽膜要求某種程度的厚度。關于半導體裝置，一般而言，若為1μm～10μm左右的膜厚，則可獲得良好的屏蔽特性。就所述SUS、Cu、SUS的層疊結構的電磁波屏蔽膜而言，已知若為1μm～5μm左右的膜厚，則可獲得良好的屏蔽效果。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1國際公開第2013/035819號公報

發明內容

發明所要解決的問題

作為電磁波屏蔽膜的形成方法，已知有鍍敷法。但是，鍍敷法需要前處理步驟、鍍敷處理步驟、及水洗之類的后處理步驟等濕式步驟，因此不可避免半導體裝置的制造成本的上升。

因此，作為干式步驟的濺射法受到矚目。作為利用濺射法的成膜裝置，提出有使用等離子體進行成膜的等離子體處理裝置。等離子體處理裝置將惰性氣體導入配置有靶材的真空容器，施加直流電壓。使經等離子體化的惰性氣體的離子與成膜材料的靶材碰撞，并使自靶材趕出的材料堆積于工件來進行成膜。

一般的等離子體處理裝置被用于可在幾十秒至幾分鐘的處理時間內形成的厚度為10nm～數100nm的膜的形成中。但是，如上所述，作為電磁波屏蔽膜，需要形成微米級厚度的膜。由于濺射法是使成膜材料的粒子堆積于成膜對象物上來形成膜的技術，因此所形成的膜越厚，膜的形成所需的時間越長。

因此，為了形成電磁波屏蔽膜，需要比一般的濺射法更長的幾十分鐘至一小時左右的處理時間。例如，就SUS、Cu、SUS的層疊結構的電磁波屏蔽膜而言，為了獲得5μm的膜厚，有時需要一小時多的處理時間。

如此，使用等離子體的濺射法中，在所述處理時間內，作為半導體裝置的外包裝的封裝體會一直暴露于等離子體的熱中。結果，至獲得厚度5μm的膜為止，有時會將封裝體加熱至200℃上下。

另一方面，關于封裝體的耐熱溫度，若為幾秒～幾十秒左右的暫時加熱，則為200℃左右，但在加熱超過幾分鐘的情況下，一般為150℃左右。因此，難以使用一般的利用等離子體的濺射法來形成微米級的電磁波屏蔽膜。

為了應對所述情況，考慮在等離子體處理裝置上設置用來抑制半導體封裝體的溫度上升的冷卻裝置。所述情況下，裝置構成復雜化、大型化。