[發明專利]RAMO4

有效

• 申請號: 201711280650.6
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN108221046B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 小松真介;岡山芳央;信岡政樹
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;C30B25/20;C30B7/00;C30B29/40
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種RAMO₄基板，其包含含有通式RAMO₄表示的單晶體的RAMO₄單晶基板，

通式中，R表示選自由Sc、In、Y和鑭系元素組成的組中的一種或多種三價元素，A表示選自由Fe(III)、Ga和Al組成的組中的一種或多種三價元素，M表示選自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd組成的組中的一種或多種二價元素，

所述RAMO₄單晶基板在主面具備多個槽，

所述主面相對于所述單晶體的劈開面具有偏離角θ，

將位于所述槽間的凸部的頂面的寬度記作Wx，并將所述凸部的高度記作Wy時，

滿足tanθ≤Wy/Wx，

其中，所述Wx、所述Wy和所述θ分別滿足1μm≤Wx≤360μm、0.36μm≤Wy≤1000μm、0°＜θ≤20°。

2.根據權利要求1所述的RAMO₄基板，其中，所述Wx、所述Wy和所述θ分別滿足16.6μm≤Wx≤301.1μm、0.88μm≤Wy≤28.7μm、0°＜θ≤11.1°。

3.根據權利要求1所述的RAMO₄基板，其中，在所述RAMO₄單晶基板的所述凸部的頂面上還具備III族氮化物晶種層。

4.根據權利要求1所述的RAMO₄基板，其中，所述通式中的R為Sc、A為Al、M為Mg。

5.一種III族氮化物結晶的制造方法，其包括：

(i)準備包含RAMO₄單晶基板的RAMO₄基板的工序，

所述RAMO₄單晶基板在主面具備多個槽，且包含通式RAMO₄表示的單晶體，

通式中，R表示選自由Sc、In、Y和鑭系元素組成的組中的一種或多種三價元素，A表示選自由Fe(III)、Ga和Al組成的組中的一種或多種三價元素，M表示選自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd組成的組中的一種或多種二價元素，

所述主面相對于所述單晶的劈開面具有偏離角θ，將位于所述槽間的凸部的頂面的寬度記作Wx，并將所述凸部的高度記作Wy時，

滿足tanθ≤Wy/Wx，其中，所述Wx、所述Wy和所述θ分別滿足1μm≤Wx≤360μm、0.36μm≤Wy≤1000μm、0°＜θ≤20°；

(ii)使III族氮化物結晶在所述RAMO₄基板的所述RAMO₄單晶基板的所述凸部上生長的工序；以及

(iii)在所述RAMO₄單晶基板的所述凸部內劈開所述單晶，將包含至少一部分所述RAMO₄基板的部分與包含所述III族氮化物結晶的部分進行分離的工序。

6.根據權利要求5所述的III族氮化物結晶的制造方法，其中，所述RAMO₄單晶基板的所述多個槽通過對所述單晶體照射激光而形成。

7.根據權利要求6所述的III族氮化物結晶的制造方法，其中，所述激光的波長范圍為190nm以上且370nm以下。

8.根據權利要求5所述的III族氮化物結晶的制造方法，其中，所述Wx、所述Wy和所述θ分別滿足16.6μm≤Wx≤301.1μm、0.88μm≤Wy≤28.7μm、0°＜θ≤11.1°。

9.根據權利要求5所述的III族氮化物結晶的制造方法，其中，所述RAMO₄基板還具備在所述RAMO₄單晶基板的所述凸部的頂面上分別配置的III族氮化物晶種層，使所述III族氮化物結晶在所述III族氮化物晶種上生長。

10.根據權利要求5所述的III族氮化物結晶的制造方法，其中，所述通式中的R為Sc、A為Al、M為Mg。