[發(fā)明專(zhuān)利]改善金屬層腐蝕缺陷方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711279353.X
• 申請(qǐng)日: 2017-12-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107993939B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張錢(qián);昂開(kāi)渠;任昱;朱駿
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/3213
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/3213;H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種改善金屬層腐蝕缺陷方法，其特征在于，包括：

獲得金屬層刻蝕步驟光刻膠消耗量跟產(chǎn)品透光率的相關(guān)性；所述光刻膠消耗量跟所述產(chǎn)品透光率成線(xiàn)性關(guān)系，滿(mǎn)足公式Y(jié)1＝aX+b，其中Y1為所述光刻膠消耗量，X為所述產(chǎn)品透光率，a,b為常量；

獲得對(duì)光刻膠進(jìn)行前處理時(shí)光刻膠刻蝕速率跟產(chǎn)品透光率的相關(guān)性；所述對(duì)光刻膠進(jìn)行前處理時(shí)光刻膠刻蝕速率跟所述產(chǎn)品透光率成線(xiàn)性關(guān)系，滿(mǎn)足公式Y(jié)2＝cX+d，其中Y2為所述光刻膠刻蝕速率，X為所述產(chǎn)品透光率，c,d為常量；

設(shè)定光刻膠剩余厚度目標(biāo)值，并根據(jù)第一步和第二步，確定每個(gè)光刻膠的光刻膠前處理的理論時(shí)間；所述光刻膠前處理的理論時(shí)間根據(jù)公式Time＝(T0-T1-Y1)/Y2求得，其中Time為所述光刻膠前處理時(shí)間，T0為初始光刻膠厚度，T1為光刻膠剩余厚度目標(biāo)值，Y1為所述光刻膠消耗量，Y2為所述光刻膠刻蝕速率；以及

應(yīng)用第三步的理論時(shí)間對(duì)產(chǎn)品的光刻膠進(jìn)行刻蝕。

2.如權(quán)利要求1所述的改善金屬層腐蝕缺陷方法，其特征在于，應(yīng)用第三步的理論時(shí)間對(duì)產(chǎn)品的光刻膠進(jìn)行刻蝕的步驟包括：對(duì)所述產(chǎn)品的光刻膠進(jìn)行前處理，用于調(diào)整光刻膠厚度。

3.如權(quán)利要求1或2所述的改善金屬層腐蝕缺陷方法，其特征在于，采用Ar/N₂/O₂的混合氣體對(duì)所述產(chǎn)品的光刻膠進(jìn)行前處理，所述混合氣體比例根據(jù)不同產(chǎn)品對(duì)刻蝕速率的不同要求進(jìn)行改變。

4.如權(quán)利要求1所述的改善金屬層腐蝕缺陷方法，其特征在于，應(yīng)用第三步的理論時(shí)間對(duì)產(chǎn)品的光刻膠進(jìn)行刻蝕的步驟中，對(duì)光刻膠刻蝕縱向速率快，橫向速率慢，從而降低對(duì)金屬層線(xiàn)橫向線(xiàn)寬的影響。

5.如權(quán)利要求1所述的改善金屬層腐蝕缺陷方法，其特征在于，所述光刻膠剩余厚度目標(biāo)值的規(guī)格滿(mǎn)足

6.如權(quán)利要求1所述的改善金屬層腐蝕缺陷方法，其特征在于，應(yīng)用第三步的理論時(shí)間對(duì)產(chǎn)品的光刻膠進(jìn)行刻蝕后，獲得光刻膠刻蝕后實(shí)際厚度，并與設(shè)定的光刻膠剩余厚度目標(biāo)值進(jìn)行驗(yàn)證。

7.如權(quán)利要求1所述的改善金屬層腐蝕缺陷方法，其特征在于，所述改善金屬層腐蝕缺陷方法集成在金屬層刻蝕程式里，跟金屬層刻蝕步驟在同一個(gè)工藝腔內(nèi)完成。