[發(fā)明專利]一種功率模塊封裝及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711278542.5 | 申請日： | 2017-12-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109887889A | 公開（公告）日： | 2019-06-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李立民;徐獻(xiàn)松;林坤毅 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫旭康微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/31 | 分類號(hào)： | H01L23/31;H01L23/522;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市無錫蠡園*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 第一表面 功率模塊封裝 第二表面 功率芯片 容置空間 基底 電路布線層 機(jī)械化操作 絕緣膠體 電連接 貼合 通孔 填充 制作 貫穿 節(jié)約 覆蓋 | ||
1.一種功率模塊封裝，其特征在于，所述功率模塊封裝包括：
一基底，所述基底形成有一第一表面和一第二表面，其中所述第一表面內(nèi)形成有一電路布線層，并且所述第一表面與所述第二表面之間貫穿形成有電連接的通孔；
一功率芯片，貼合在所述第一表面；
所述第一表面的四周形成有一容置空間；
一絕緣膠體，填充于所述容置空間中，覆蓋所述功率芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊封裝，其特征在于，所述第一表面上的四周形成有一邊框，所述邊框與所述基底之間形成所述容置空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊封裝，其特征在于，一外殼體與所述基底之間形成所述容置空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率模塊封裝，其特征在于，所述基底為PCB板基底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率模塊封裝，其特征在于，所述PCB板基底為多層PCB板基底，所述多層PCB板基底之間設(shè)有絕緣層和所述電連接的通孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率模塊封裝，其特征在于，所述邊框?yàn)镻CB邊框，通過SMT 打件/焊接/膠合方式貼合在所述基底上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的功率模塊封裝，其特征在于，所述基底的所述第二表面形成有外部連接端子，所述功率芯片與所述外部連接端子通過所述電路布線層和所述通孔電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊封裝，其特征在于，所述基底為金屬基底。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率模塊封裝，其特征在于，所述邊框?yàn)榻饘龠吙颉?/p>
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率模塊封裝，其特征在于，所述絕緣膠體的高度與所述邊框的高度相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊封裝，其特征在于，所述功率芯片為功率開關(guān)管，包括氮化鎵金氧半場效應(yīng)晶體管，碳化硅金氧半場效應(yīng)晶體管，絕緣柵雙極性晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊封裝，其特征在于，所述絕緣膠體為一絕緣導(dǎo)熱膠。
13.一種功率模塊封裝的制作方法，其特征在于，包括下述步驟：
選取一基底，所述基底形成有一第一表面和一第二表面，在所述第一表面內(nèi)形成一電路布線層，并在所述第一表面與所述第二表面之間貫穿形成電連接的通孔；
將一功率芯片貼合在所述第一表面；
在所述第一表面的四周形成一容置空間；
將一絕緣膠體填充于所述容置空間中，覆蓋所述功率芯片。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的功率模塊封裝的制作方法，其特征在于，通過在所述第一表面上的四周形成一邊框，所述邊框與所述基底之間形成所述容置空間。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的功率模塊封裝的制作方法，其特征在于，通過一外殼體與所述基底之間形成所述容置空間。
16.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的功率模塊封裝的制作方法，其特征在于，選取的所述基底為PCB板基底。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的功率模塊封裝的制作方法，其特征在于，所述PCB板基底為多層PCB板基底，所述多層PCB板基底之間設(shè)有絕緣層和所述電連接的通孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的功率模塊封裝的制作方法，其特征在于，所述邊框?yàn)镻CB邊框，通過SMT 打件/焊接/膠合方式貼合在所述基底上。
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